Электрический расчёт схемы приёмника

Хорошие результаты достигаются применением материала с малыми потерями на высокой частоте (полистирола, радиофарфора).

Для метровых и дециметровых волн рекомендуется выполнять бескаркасные катушки из нескольких витков толстого провода диаметром конструктивную добротность. Для создания катушек с индуктивностью меньше 1мГн применяют однослойные намотки с шагом. Цилиндрические катушки с однослойной намоткой удобны в изготовлении, обладают малой собственной ёмкостью и могут быть сравнительно точно рассчитаны на заданную индуктивность. Намотки с шагом позволяют повысить её стабильность и снизить собственную ёмкость.

Рис. 2.3 - Катушка индуктивности

Рис. 2.4 - Зависимость промежуточного коэффициента от отношения длинны катушки к её диаметру

Рис. 2.5 - Зависимость поправочного коэффициента А от отношения диаметра провода к шагу намотки

Рис. 2.6 - Зависимость поправочного коэффициента В от отношения числа витков

. Выбираем диаметр каркаса, тип и диаметр обмоточного провода, а также вычисляем число витков намотки N для заданной индуктивности L.

Выбираем по таблице 1 диаметр намотки катушки индуктивности: .

Выбранный тип обмоточного провода ПЭВ-2 со следующими параметрами:

диаметр провода без изоляции: ;

диаметр провода в изоляции: ;

коэффициент неплотности: .

. Число витков на 1 см длины намотки:

. Найдем вспомогательный параметр

где L- заданная величина индуктивности.

. Из рис. 2.4 находим значение , соответствующее вычисленному в пункте 3 значению параметра :

(рекомендуемое )

- длина намотки, - диаметр намотки

. Число витков намотки:

6. Определяем шаг намотки:

Зададимся

- диаметр выбранного провода без изоляции,

- шаг намотки.

. По отношению и по числу витков N определим поправочные коэффициенты А и В соответственно:

- поправочный коэффициент (из рис. 2.5)

- поправочный коэффициент (из рис. 2.6)

. Найдем индуктивность катушки при намотке с шагом и числом витков :

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разработка вычислительного блока системы электромагнитного позиционирования
Актуальность развития методов точного определения координат и углов ориентации того или иного объекта по отношению к некоторой заданной системе координат трудно переоценить. Определение пространственных и угловых координат движущихся объектов лежит в основе решения многих важных нау ...