Полупроводниковые диоды

Полупроводниковый диод - это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n - перехода.

Полупроводниковые диоды классифицируются:

) по назначению: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ - и СВЧ - диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды), туннельные, обращенные, варикапы и др.;

2) по конструктивно-технологическим особенностям: плоскостные и точечные;

) по типу исходного материала: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.

Рисунок 3.1 - Устройство точечных диодов

В точечном диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью n - типа (рис.3.1), толщиной 0,1…0,6мм и площадью 0,5…1,5 мм2; с пластинкой соприкасается заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают область с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуется миниатюрный р-n - переход полусферической формы.

Для изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р - типа является эмиттерной.

Для изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n - типа и проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.

В плоскостных диодах р-n - переход образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды).

Плоскостные диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии (рис.3.2).

Рисунок 3.2 - Устройство плоскостных диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным методом (б)

В пластинку германия n - типа вплавляют при температуре около 500°С каплю индия (рис.3.2, а) которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р - типа. Область с электропроводностью р - типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят германий р - типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n - типа.

Диффузионный метод изготовления р-n - перехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник (рис.3.2, б). Для создания р - слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного материала.

Другие стьтьи в тему

Разработка шлирен–проектора для контроля объективов
Оптический контроль основан на анализе взаимодействия оптического излучения с объектами контроля. В качестве объектов контроля могут служить материалы и изделия, технологические процессы и параметры окружающей среды. Для получения измерительной информации об объекте контроля использ ...

Расчет словесной разборчивости речи по методу Покровского Н.Б. Система защиты речевой информации
Человеческая речь является одним из важнейших путей информационного взаимодействия. При децентрализации экономической и политической систем и соответствующем увеличении доли оперативной информации, непосредственно связывающей самостоятельных в принятии решений людей, значимость речев ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru