Радиоэлектроника и телекоммуникации
Таблица 5 - Зависимость тока через диод от приложенного напряжения
|
Д226 прямая |
U в |
0.35 |
0.4 |
0.45 |
0.5 |
0.55 |
0.60 |
0.65 |
0.70 |
0.75 |
0.8 |
|
J мA |
0 |
0.01 |
0.03 |
0.11 |
0.4 |
1.77 |
3.11 |
9.0 |
16.7 |
17.5 | |
|
Д106 прямая |
U в |
0.35 |
0.4 |
0.45 |
0.5 |
0.55 |
0.60 |
0.65 |
0.70 |
0.75 |
0.8 |
|
J мA |
0 |
0 |
0 |
0.01 |
0.03 |
0.09 |
0.28 |
0.67 |
1.61 |
4.40 | |
|
Д310 прямая |
U в |
0.35 |
0.4 |
0.45 |
0.5 |
0.55 |
0.60 |
0.65 |
0.70 |
0.75 |
0.8 |
|
J мA |
1.25 |
7.01 |
13.7 |
18.2 |
25.9 | ||||||
|
Д226 Обр. |
U в |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
J мкА |
2 |
3 |
4 |
5 |
5 |
6 |
6 |
7 |
7 |
7 | |
|
Д106 Обр. |
U в |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
J мкА |
1 |
2 |
3 |
4 |
4 |
4 |
5 |
5 |
5 |
6 | |
|
Д310 Обр. |
U в |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
J мкА |
3 |
4 |
5 |
6 |
6 |
7 |
7 |
7 |
7 |
8 | |
Другие стьтьи в тему
Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и
создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для
исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее
характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники
в целом и являе ...
Разработка проекта технической составляющей системы защиты речевой информации на объекте информатизации
В век информации, когда действует принцип - кто владеет информацией, тот
владеет миром, желающих таким образом овладеть миром предостаточно, а значит,
существует устойчивый спрос на информацию, полученную несанкционированным
путем. В такой ситуации головная боль владельца информации - ...