Расчет эффективных значений напряженности поля сигналов в точке передачи, пересчитанных к 1,2 кВт

Перейти на страницу: 1 2 

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разработка проекта сети доступа по технологии GPON микрорайона №5 г. Минусинска
Тенденция развития телекоммуникационной сети начала ХХI века должна отвечать времени, то есть быть высокоорганизованной, интеллектуальной, автоматизированной, соответствовать техническому уровню высокоразвитых стран мира, обеспечивать передачу разнообразных сообщений и предоставление ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru