Анализ параметров линии связи

Отношение сигнал/шум OSNR (Optical Signal-to-Noise Ratio) является неотъемлемой характеристикой системы WDM и отражает превышение мощности принимаемого сигнала над шумовым фоном для каждого оптического канала.

По мере прохождения сигнала по линии связи значение OSNR снижается в зависимости от протяженности линии, числа усилителей EDFA и скорости передачи. Оптические усилители линии связи повышают уровень полезного сигнала, но кроме того повышают уровень шума и вносят свой и шумы в канал связи, таким образом сильно влияют на показатель OSNR. Протяженная линия с большим количеством усилителей требует установку регенератора для восстановления формы сигнала, если расcчетный OSNR на участке линии становится ниже предельно допустимого значения.

Значение OSNR для случая, когда все сегменты между усилителями равны по длине, а разницей затухания для плотно расположенных оптических каналов в одном окне прозрачности волокон кабеля можно пренебречь и считать затухание одинаковым для всех каналов полосы, вычисляется по формуле (3.1) [25].

OSNR = Ps¢(l) - L - NF - 10lg[N] - 10lg[hm <m 0] (3.1)

где:

- Ps¢(l) - выходная мощность на одну длину волны, дБм;

- L - потери сегмента между усилителями, дБ;

- NF - значение шума для оптического усилителя, дБ;

- N - количество усилителей в цепи;

- h - постоянная Планка;

- m - оптическая частота;

- <m 0 - оптическая полоса пропускания.

В существующем оборудовании OptiX BWS 1600G и новом OSN8800, предусмотрена функция прямой коррекции ошибок (FEC), которая позволяет существенно повысить запас помехоустойчивости на 6 - 7 дБ для передачи со скоростью 10 Гбит/с. Эта технология позволяет повысить OSNR и таким образом увеличить дальность передачи. Для системы DWDM с использования функции FEC приемлемый показатель OSNR должен быть больше 20 дБ, а в случае использования SuperWDM c функцией FEC, приемлемое значение OSNR должно быть больше 17 дБ [32] [35].

Расчетные параметры отношения сигнал шум для новых сегментов DWDM приведены в Таблице 3.4.

Таблица 3.4 - Расчетные параметры отношения сигнал шум и затухания между сегментами

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база (микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...