Расчет каскадов предварительного усиления

. Задаёмся координатами точек покоя выходной цепи транзистора. Они должны удовлетворять условиям:

>;

> .

Выберем n-p-n транзистор КТ315А

с параметрами ,

,

,

,

Принимаем

Принимаем .

13. Определяется каскада. Падение напряжения на сопротивлении для обеспечения высокой температурной стабильности режима покоя выбирается из условия = (0,1….0,3) . Подставляя в формулу (1), получим выражение для расчета :

Полученную величину округлим до ближайшего целого числа, а затем примем из стандартного ряда: 6, 9, 12, 15, 18, 21, 24, 27, 30, 36, 42, 50 (ближайшее к расчетному значению)

= 0,1∙12 = 1,2 В

14. Проверяем выполнения условий для выбранного транзистора КТ315А

15. Определяется ток .В справочной литературе приводится, как правило, диапазон изменения параметра транзистора. При расчете берется среднее значение . Для по входной ВАХ, соответствующей = 2 В, определяется напряжение .

Для по входной ВАХ определяем напряжение Uбп.

Рис.6 Входная характеристика транзистора КТ315А. Uбп = 0,5 В.

16. Рассчитаем сопротивление Rэ, R1 и R2.

Зададим ток делителя

Падение напряжения на сопротивлении Rэ для обеспечения температурной стабильности режима покоя выбирается из условия

Напряжения в формулы берутся по абсолютной величине.

17. Производится расчет каскада по переменному току.

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Другие стьтьи в тему

Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база (микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...

Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе
Цель работы: расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков комп ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2023 : www.techelements.ru