Расчет и построение в плоскости параметров настроек кривой равного значения

Степень колебательности m=m зад =0.350

Рисунок 10. Кривая m=mзад для ПИ-регулятора

Таблица 10. Параметры настройки ПИ-регулятора

Рисунок 11. Кривая m=mзад для ПИД-регулятора α=0.15

Таблица 11. Параметры настройки для ПИД-регулятора α=0.15

Рисунок 12. Кривая m=mзад для ПИД-регулятора α=0.6

Таблица 12. Параметры настройки для ПИД-регулятора α=0.6

Рисунок 13. Кривая m=mзад для ПИД-регулятора α=0.4

Таблица 12. Параметры настройки для ПИД-регулятора α=0.4

Рисунок 14. Совмещенные кривые для ПИ-регулятора

Рисунок 15. Совмещенные кривые для ПИД-регулятора α=0.15

Рисунок 16. Совмещенные кривые для ПИД-регулятора α=0.4

Рисунок 17. Совмещенные кривые для ПИД-регулятора α=0.6

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Проектирование цифровой городской телефонной сети ГТС
Развитие современных телекоммуникационных систем, цифровых электронных станций и аппаратуры уплотнения затронуло один из самых консервативных элементов сети электросвязи - абонентскую линию. В концепции структуры сети электросвязи появилось новое понятие - «сеть абонентского доступа» ...