Затраты на изготовление, внедрение и отладку системы

Ртрп = 1461× 0,08= 117 т. руб. (4.32)

Стоимость монтажных и работ по формуле (5.32):

Рм = Цоб × Км,(4.33)

где Км - коэффициент, наладочных учитывающий стоимость монтажных и наладочных работ, доли ед.

Рм = 1461× 0,18 = 263 т. руб.(4.34)

Накладные расходы, связанные с изготовлением и отладкой проектируемой системы, рассчитаем по формуле (5.35):

Нризг = Тмон × Зраз × (1 + Кпр) × (1 + Кр) × Кнризг,(4.35)

Подставив данные в (5.35) получаем накладные сумму расходы (Нризг).

Нризг = 1 × 20000 × (1 + 0.5) × (1 + 0.7) × 0.15 = 7650 руб.(4.36)

Полученные результаты заносим в таблицу 4.6 и находим общую сумму капитальных затрат на изготовление системы.

Таблица 4.6 - Результирующая таблица для расчетов по статьям калькуляции

№ п/п

Статьи затрат

Затраты на изготовление, т. руб

1

Материалы и покупные комплектующие изделия

1461

2

Производственная заработная плата

47

3

Транспортные расходы

117

4

Накладные расходы

8

5

Монтажные и наладочные работы

263

Итого

1895

Итого: К=Краз + Кпрог + Кизг = 111+ 94+1895= 2045 т. руб. (4.37)

Годовые эксплуатационные затраты в условиях функционирования системы могут быть определены как сумма:

С = Сэл + Срем, (4.38)

где Сэл - затраты на электроэнергию, потребляемую системой, р.;

Cрем - затраты на ремонт, р.

Исходные данные для расчета представлены в таблице 4.7.

Таблица 4.7 - Исходные данные для расчета затрат на эксплуатацию

Показатель

Значение

Мощность потребляемая системой, Вт

250

Годовой фонд работы системы при выполнении задачи, ч

4380

Расчет годовых затрат на электроэнергию производим по формуле:

эл = N × Цэл × Тзад × Кинт, (4.39)

где N - мощность, потребляемая системой, кВт;

Цэл - стоимость одного кВт×ч электроэнергии, р.;

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Другие стьтьи в тему

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru