Расчёт усилителя промежуточной частоты

Принимаем Rн = 1,8 кОм из ряда Е24 ± 5%

где Капч - коэффициент усиления апериодического УПЧ

. Определяем коэффициент устойчивого усиления на максимальной частоте

где С”12Э - ёмкость обратной передачи

С”12Э ≈ Ск ёмкости перехода коллектор-база транзистора

. Рассчитываем сопротивление резистора в цепи эмиттера R3

R3 = UR3/Ik = 3/0,001 = 3000 Ом

Принимаем R3 = 3 кОм из ряда Е24 ± 5%

здесь UR3=(0,15 - 0,2)∙Ек =0,2∙15 = 3 В

Ек - напряжение питания схемы

Ik ≈ Iэ

. Определяем сопротивление резистора R1 в цепи делителя

принимаем R1=30 кОм из ряда Е24 ± 5%

При этом задаёмся и напряжением на резисторе R2

ЕR2= (0,15-0,3)∙Ек = 0,2∙15 = 3 В

5. Находим сопротивление резистора R2

Принимаем R2 = 7,5 кОм из ряда Е12 ± 10%

. Определяем ёмкость блокировочного конденсатора

Принимаем С3 = 1,5 нФ из ряда Е12 ± 10%

.3.3 Расчёт параметров фильтра сосредоточенной селекции (ФСС)

. Определяем расчётную добротность контура Qр

. Задаёмся конструктивной добротностью контура Q так, чтобы она была значительно больше Qp

Q = 300

. Вычисляем полосу пропускания фильтра

где Xn - обобщённая расстройка, соответствующая полосе пропускания задаваться Xn=0,8

. Рассчитываем вспомогательные величины

а) обобщённую расстройку, соответствующую избирательности по соседнему каналу

где - расстройка по соседнему каналу ( = 10 кГц )

б) обобщённое затухание

. Определяем избирательность u по соседнему каналу, создаваемому одним звеном фильтра

u = 12,5 дБ

. Находим частотные искажения вносимые одним звеном

м = 1,3 дБ

. Вычисляем число звеньев nф фильтра из условий обеспечения заданной избирательности и заданных частотных искажений (Se - избирательность по соседнему каналу. Мтпч - частотные искажения ТПЧ

Так как > расчёт произведён правильно и число звеньев фильтра nф принимаем равным округлив его до большего целого числа.

Другие стьтьи в тему

Расчет радиолинии связи
...

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...