Радиоэлектроника и телекоммуникации
В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация значительно превышает концентрацию дырок (nn >> np). В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки (np >> nn). При контакте двух полупроводников n - и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу (рис.1). Пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости (так называемый запирающий слой) обычно достигает толщины порядка десятков и сотен межатомных расстояний. Объемные заряды этого слоя создают между p - и n-областями запирающее напряжение Uз, приблизительно равное 0,35 В для германиевых n-p-переходов и 0,6 В для кремниевых.p-переход обладает удивительным свойством односторонней проводимости.
Рисунок 1 - Образование запирающего слоя при контакте полупроводников p - и n-типов.
Другие стьтьи в тему
Разработка охранной системы с цифровой индикацией
Темой данного курсового проекта является разработка охранной
системы с цифровой индикацией.
Объектом исследования являются процессы передачи сигнала от
датчика к устройству управления.
Предметом исследования являются датчики, которые должны
реагировать на взлом.
Це ...
Расчет выпрямителя напряжения
Выбрать
схему выпрямителя источника питания, начертить ее, определить требования к
изделиям, входящим в его состав, а также рассчитать данные для проектирования
трансформатора.
Источник
питания работает от сети с напряжением, U1,
с частотой, fс, изменения напряжения возможны в пр ...