Выбор фильтров основной селекции

В качестве ФОС1 выбираем пьезокерамический фильтр SFE10.7MS2A, рекомендованный фирмой-изготовителем МС3362 к использованию совместно с микросхемой, имеющий следующие параметры:

1 средняя частота полосы пропускания 10,7МГц;

2 полоса пропускания на уровне -3дб равна 50кГц;

коэффициент прямоугольности на уровне -80дб ;

1 входное и выходное сопротивление 330 Ом

Данный фильтр согласован по входу и выходу с микросхемой МС3362.

Из коэффициента прямоугольности несложно определить, что на частоте отстоящей от средней частоты полосы пропускания на 125кГц, спад АЧХ имеет уровень -80дБ. Зеркальный канал второго преобразования отстоит от средней частоты полосы пропускания на 910кГц, откуда видно, что подавление зеркального канала второго преобразования не менее 80дБ. Задание по подавлению зеркального канала выполнено.

В качестве ФОС2 выбираем пьезокерамический фильтр SFW455X, рекомендованный фирмой-изготовителем МС3362 к использованию совместно с микросхемой, имеющий следующие параметры:

2 средняя частота полосы пропускания 455кГц;

3 полоса пропускания на уровне -3дб равна 20кГц;

коэффициент прямоугольности на уровне -80дб ;

1 входное и выходное сопротивление 2кОм.

Данный фильтр согласован по входу и выходу с микросхемой МС3362.

Фильтр предназначен для подавления соседнего канала. Из коэффициента прямоугольности несложно определить, что на частоте отстоящей от средней частоты полосы пропускания на 20кГц, спад АЧХ имеет уровень -80дБ. Соседний канал по техническому заданию отстоит от средней частоты полосы пропускания на 25кГц, откуда видно, что подавление соседнего канала не менее 80дБ. Задание по подавлению соседнего канала выполнено.

Другие стьтьи в тему

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Расчет импульсного преобразователя сетевого напряжения
На рисунке 1.1 приведена структурная схема повышающего преобразователя напряжения на микросхеме KP1156EУ5. Рисунок 1.1- Структурная схема повышающего преобразователя напряжения на микросхеме KP1156EУ5 Структурная схема приведенного устройства состоит из входного ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru