Радиоэлектроника и телекоммуникации
- избирательность преселектора (по формуле 1.25);
- основная избирательность широкополосного резонансного УПЧ.
В случае применения фильтра сосредоточенной селекции ФСС необходимо рассчитать параметры фильтра по графикам рис.1, рис.2 определить избирательность одного звена фильтра Se1 Находим значение коэффициента по формулам:
(1.27)
где, - коэффициент;
- стандартная частотная расстройка (9 кГц);
- рабочая частота пропускания, кГц, определяется по формуле:
(1.28)
Коэффициент рассчитываем по формуле:
=
(1.29)
где, - коэффициент;
- промежуточная частота, кГц;
- конструктивная добротность контура фильтра (200-250);
- рабочая полоса пропускания, кГц.
По графикам Рис. 1, Рис. 2 при найденных значениях находим избирательность одного звена фильтра Se1.
- коэффициент передачи ФСС по напряжению.
Определяем число звеньев ФСС:
(1.30)
где, - избирательность (найденная по формуле 1.26)
Полученное значение необходимо округлить до большего целого значения. Если получится , то необходимо задаться большой избирательности широкополосных каскадов УПЧ или заменить апериодическим 4 каскад УПЧ резонансным. Берем пьезофильтр пф1п-022.
Таблица (1.4)
ТИП |
Полоса пропускания на уровне-6 дБ, кГц |
Избирательность не менее, дБ |
Затухание не более, дБ |
Согласующие резисторы, кОм | |
Со входа |
С выхода | ||||
пф1п-022 |
10,5-14,5 |
26 |
9,5 |
2 |
2 |
Другие стьтьи в тему
Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости
характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в
настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база
(микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...
Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и
создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для
исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее
характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники
в целом и являе ...