Обеспечение заданной частотой избирательности и выбор схемы ФСС

- избирательность преселектора (по формуле 1.25);

- основная избирательность широкополосного резонансного УПЧ.

В случае применения фильтра сосредоточенной селекции ФСС необходимо рассчитать параметры фильтра по графикам рис.1, рис.2 определить избирательность одного звена фильтра Se1 Находим значение коэффициента по формулам:

(1.27)

где, - коэффициент;

- стандартная частотная расстройка (9 кГц);

- рабочая частота пропускания, кГц, определяется по формуле:

(1.28)

Коэффициент рассчитываем по формуле:

= (1.29)

где, - коэффициент;

- промежуточная частота, кГц;

- конструктивная добротность контура фильтра (200-250);

- рабочая полоса пропускания, кГц.

По графикам Рис. 1, Рис. 2 при найденных значениях находим избирательность одного звена фильтра Se1.

- коэффициент передачи ФСС по напряжению.

Определяем число звеньев ФСС:

(1.30)

где, - избирательность (найденная по формуле 1.26)

Полученное значение необходимо округлить до большего целого значения. Если получится , то необходимо задаться большой избирательности широкополосных каскадов УПЧ или заменить апериодическим 4 каскад УПЧ резонансным. Берем пьезофильтр пф1п-022.

Таблица (1.4)

ТИП

Полоса пропускания на уровне-6 дБ, кГц

Избирательность не менее, дБ

Затухание не более, дБ

Согласующие резисторы, кОм

Со входа

С выхода

пф1п-022

10,5-14,5

26

9,5

2

2

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие стьтьи в тему

Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база (микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2025 : www.techelements.ru