Выбор функции амплитудного распределения поля в раскрыве зеркала

Анализ ТЗ показывает, что в нашем случае возможно применение круглого зеркала, но как видно по данным, приведенным в [1, таблицы 2 и 1], видно, что применение круглого раскрыва нежелательно, поскольку при требуемом распределении поля в раскрыве для обеспечения заданного УБЛ получается очень низким значение КИП (около 0,56 в плоскости Е и около 0,8 в плоскости Н - суммарное значение около 0,65). При использовании прямоугольного раскрыва КИП в обеих плоскостях имеет значение больше 0,88 - суммарное значение более 0,75. Поскольку никаких жестких ограничений на конструкцию антенны нет, то будем считать это преимущество прямоугольного раскрыва перед круглым определяющим при выборе формы зеркала. Будем проектировать антенну с прямоугольной формой раскрыва зеркала.

Прежде проведем расчет для плоскости . Пользуясь таблицей 1 из [1], выбираем функцию распределения поля в раскрыве, позволяющую реализовать заданный уровень УБЛ =дБ.

нормированная координата вдоль раскрыва зеркала в рассматриваемой плоскости.

Для того чтобы определить величину скачка , линейно интерполируем приведенные в таблице 1 из [1] данные по зависимости , вблизи заданного нам уровня дБ. Результат интерполяции представлен на рисунке 1.

Рисунок 1

По графику можно определить, что необходимый уровень УБЛ соответствует .

Аналогичный вид распределения поля по раскрыву можно выбрать и в плоскости вектора . Интерполяция зависимости вблизи заданного УБЛ в плоскости представлена тоже на рисунке 1. Из графика видно, что нужно выбрать равным 0, 306.

Рисунок 2 Рисунок 3

На рисунках 2 и 3 показан вид распределений поля в главных плоскостях в раскрыве зеркала.

Другие стьтьи в тему

Радиоволновый метод обеспечения безопасности помещений
Актуальность темы дипломной работы заключается в том, что системы защиты и охраны периметра занимают ведущее место в обеспечении охраны объектов различного назначения. Этими объектами являются промышленные объекты, объекты повышенного риска (химические предприятия), склады, ангары, х ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...