Передаточные характеристики

а) Дисперсия

В одномодовых волокнах, а как было отмечено выше, на аппаратуре фирмы «Марион» используются именно они, присутствует только хроматическая дисперсия и общее выражение приводится к виду:

tрез=|tхр|

Здесь: tмат=Dl×М(l) - материальная дисперсия;

где Dl - ширина спектральной линии источника излучения (для полупроводникового лазера составляет величину порядка 1 нм), М(l) - удельная материальная дисперсия, l - длина трассы;

tвв=Dl×B(l) - волноводная дисперсия;

где В(l) - удельная волноводная дисперсия;

tпр=Dl×П(l) - профильная дисперсия;

где П(l) - удельная профильная дисперсия.

Таким образом, можно записать:

tрез=|Dl×М(l)+Dl×B(l)+Dl×П(l)|=|Dl×(М(l)+В(l)+П(l))|.

С увеличением длины линии дисперсия возрастёт, а полоса пропускания уменьшится. Это явление учитывается при определении длины регенерационного участка.

Известно, что

М(l)= -18 (пс/нм×км)

В(l)=12 (пс/нм×км)

П(l)=5,5 (пс/нм×км)

tрез=|Dl×(-18+12+5,5)|=|1×(-0,5)|=0,5 (пс/км).

б) Потери, коэффициент затухания

В общем случае коэффициент затухания ОВ определяется следующими составляющими:

aобщ=aсоб+aкаб

aсоб=aпогл+aрасс+aприм

где, в свою очередь, затухание, обусловленное поглощением:

В эту формулу длина волны l подставляется в километрах. Тогда результат получится в дБ/км. Величина tgd учитывает чистоту кварца.

Затухание, обусловленное рассеянием:

Здесь:

k = 1,38×10-23 - постоянная Больцмана,

Т = 1500 К - температура кристаллизации кварца,

À = 8,1×10-11 м/Н - коэффициент сжимаемости кварца.

Таким образом:

Затуханием, обусловленным влиянием примесей - aприм пренебрегаем.

Имеем:

aсоб=aпогл+aрасс=0,02623+0,124 = 0,15023 (дБ/км)

aобщ=aсоб+aкаб=0,15023+0,5=0,65023 (дБ/км)

Другие стьтьи в тему

Разработка технологической инструкции по обслуживанию и ремонту импульсной паяльной системы
Прохождение производственной практики позволяет практиканту закрепить теоретические знания, опробовав их на деле. Главной особенностью данной практики является то, что практикант имеет хорошую возможность для усовершенствования собственных навыков владения рабочим инструментом, а так ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2023 : www.techelements.ru