Передаточные характеристики

а) Дисперсия

В одномодовых волокнах, а как было отмечено выше, на аппаратуре фирмы «Марион» используются именно они, присутствует только хроматическая дисперсия и общее выражение приводится к виду:

tрез=|tхр|

Здесь: tмат=Dl×М(l) - материальная дисперсия;

где Dl - ширина спектральной линии источника излучения (для полупроводникового лазера составляет величину порядка 1 нм), М(l) - удельная материальная дисперсия, l - длина трассы;

tвв=Dl×B(l) - волноводная дисперсия;

где В(l) - удельная волноводная дисперсия;

tпр=Dl×П(l) - профильная дисперсия;

где П(l) - удельная профильная дисперсия.

Таким образом, можно записать:

tрез=|Dl×М(l)+Dl×B(l)+Dl×П(l)|=|Dl×(М(l)+В(l)+П(l))|.

С увеличением длины линии дисперсия возрастёт, а полоса пропускания уменьшится. Это явление учитывается при определении длины регенерационного участка.

Известно, что

М(l)= -18 (пс/нм×км)

В(l)=12 (пс/нм×км)

П(l)=5,5 (пс/нм×км)

tрез=|Dl×(-18+12+5,5)|=|1×(-0,5)|=0,5 (пс/км).

б) Потери, коэффициент затухания

В общем случае коэффициент затухания ОВ определяется следующими составляющими:

aобщ=aсоб+aкаб

aсоб=aпогл+aрасс+aприм

где, в свою очередь, затухание, обусловленное поглощением:

В эту формулу длина волны l подставляется в километрах. Тогда результат получится в дБ/км. Величина tgd учитывает чистоту кварца.

Затухание, обусловленное рассеянием:

Здесь:

k = 1,38×10-23 - постоянная Больцмана,

Т = 1500 К - температура кристаллизации кварца,

À = 8,1×10-11 м/Н - коэффициент сжимаемости кварца.

Таким образом:

Затуханием, обусловленным влиянием примесей - aприм пренебрегаем.

Имеем:

aсоб=aпогл+aрасс=0,02623+0,124 = 0,15023 (дБ/км)

aобщ=aсоб+aкаб=0,15023+0,5=0,65023 (дБ/км)

Другие стьтьи в тему

Разработка и обеспечение надежности систем автоматического управления
К современной радиоэлектронной аппаратуре предъявляются многогранные технические требования. Поэтому для реализации сложных систем автоматического управления (САУ) необходимо применять десятки и сотни тысяч различных элементов. Сложность аппаратуры отрицательно сказывается на её надёж ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2018 : www.techelements.ru