Расчет напряженности поля в точке приема

Все существующие в настоящее время методы расчёта напряжённости поля ионосферной волны являются приближёнными. Действующее значение напряжённости поля волны определяется с учётом многолучёвости распространения радиоволн в ионосфере.

От передающей антенны в место приёма могут попасть лучи, прошедшие различные пути, в том числе и претерпевшие разное количество отражений от ионосферы и Земли, причём каждый из этих лучей под действием магнитного поля Земли расщепляется на два в общем случае эллиптически поляризованных луча, распространяющихся по разным путям в ионосфере.

Вследствие неоднородностей ионосферы эти лучи по выходу сопровождаются пучком слаборасходящихся (с углом расхождения 5 градусов) элементарных лучей.

Таким образом, поле сигнала в точке приёма создаётся в результате суперпозиции ряда лучей с непрерывно изменяющимися вследствие непостоянства ионосферы фазами и поляризацией.

Поэтому интенсивность и поляризация суммарного поля сигнала оказываются изменчивыми, что проявляется в быстрых замираниях сигнала ионосферной волны.

Обычно из всего многообразия лучей выбирается только один луч с наименьшим количеством переотражений от ионосферы и прошедший наименьший путь в ней. Он будет иметь максимальную амплитуду из всего набора лучей. Действие остальных лучей учитывается глубиной быстрых замираний.

Другие стьтьи в тему

Разработка алгоритмов работы и оценка информационных характеристик системы передачи информации
Как известно, все процессы, которые происходят в окружающем мире, в том числе и на производстве, связаны с информацией - её получением, обработкой, хранением, передачей и отображением. В дисциплине «информационные основы электронной техники» понятие «информация» является одной из осно ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2018 : www.techelements.ru