Контур скорости настроен на СО

Структурная схема контура скорости, настроенного на СО, при отработке возмущающего воздействия приведена на рисунке 31.

Рисунок 34 - Структурная схема линеаризованного контура скорости, настроенного на СО при отработке возмущения

Передаточная функция замкнутого контура скорости по возмущению

(11)

Ожидаемые показатели работы замкнутого контура скорости, настроенного по СО, при отработке ступенчатого возмущающего воздействия:

- установившаяся ошибка по возмущению

динамический провал (всплеск) скорости при набросе (сбросе) нагрузки

Имитационное моделирование работы контура скорости при отработке возмущения выполняется по структурной схеме рисунка 31 с использованием программы Simulink.

Имитационная модель контура скорости, настроенного на СО при отработке возмущения приведена на рисунке 33.

На рисунке 34 приведена отработка РЭП, настроенного на СО возмущающего воздействия при набросе нагрузки.

Рисунок 35 - Имитационная модель контура скорости, настроенного на СО при отработке возмущения

Теоретические и экспериментальные показатели качества приведены в таблице 9.

Таблица 9

Показатели переходных процессов по возмущению контура скорости, настроенного на СО

По результатам сравнения ожидаемых и экспериментально полученных показателей качества можно сделать вывод, о том, что совпадение их достаточно большое.

Другие стьтьи в тему

Разработка вычислительного блока системы электромагнитного позиционирования
Актуальность развития методов точного определения координат и углов ориентации того или иного объекта по отношению к некоторой заданной системе координат трудно переоценить. Определение пространственных и угловых координат движущихся объектов лежит в основе решения многих важных нау ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...