Выбор элементной базы

Выбор ЭРЭ должен быть сделан так, чтобы обеспечить надежную работу узла, каскада, блока питания в целом.

При этом необходимо стремиться к выбору недорогих элементов, имеющих широкое применение в современной радиоаппаратуре, к максимальной микросхемизации разрабатываемого узла и добиваться максимальной простоты сборки и электрического монтажа, регулировки и эксплуатации.

Все ЭРЭ выбираются по справочной литературе.

Работоспособность изделия зависит от следующих факторов:

надежности комплектующих;

правильности размещения ЭРЭ, особенно теплонагруженных в конструкции изделия;

качество изготовления изделия:

) качество покупных комплектующих изделий (ЭРЭ);

) качество оригинальных (сделанным самим изготовителем ЭРЭ);

) качество пайки.

минимальность электрических нагрузок;

соблюдение правил эксплуатации.

Транзисторы:

коэффициент усиления на рабочих частотах (h2i Э);

максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе;

максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (базой);

максимальная рабочая частота;

величина входного сопротивления (биполярные или полевые транзисторы).

Выбор резисторов:

по величине рассеиваемой мощности чтобы нагрузочный коэффициент составлял Кн=Рфа(а./РНомин<0.5-0.6;

по типу проводящего слоя (проволочные, непроволочные) и по конструкции (подстрочные, переменные);

по максимальному рабочему напряжению (Upa6 max);

по классу точности от ±0.01 -±20%

Выбор конденсаторов:

по типу (электролитическиеСэл>1мкФ, керамические Скерам<1мкФ);

по номинальному рабочему напряжению которое должно быть больше фактического (ираб>ифакт);

по классу точности и ТКЕ.

Исходя из выше перечисленных критерий, выбирается ЭРЭ для проектируемого передающего устройства:

Резисторы:

Постоянные:

R2= 47 кОм, 2 Вт;

R3= 1кОм, 2 Вт;

R4= 2кОм, 0,125 Вт;

R5= 1кОм, 0,125 Вт;

R6= 68оМ, 0,125 Вт;

R7= 100оМ,0,125 Вт;

Переменные:

R1=СП3-33-32 100КоМ;

Конденсаторы:

С1= 100 нФ; C2= 100 мкФ CC6003 10% 63В;

Интегральные микросхемы:

DD1 =К561ЛА7;

Диоды:

VD1,VD2=КД521;

VD3-VD6= КД202Р;

VD7,VD10= КД209;

VD8= АЛ30Б;

VD9= КС515

Тиристоры:

VS1= КУ202Н;

Другие стьтьи в тему

Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...

Расчёт эффективности коротковолновой радиолинии на группе частот
К коротким волнам (КВ) относятся радиоволны с частотами 3…30 МГц (длинами волн 10…100 м соответственно). В отличие от более коротких волн, которые распространяются земной волной, декаметровые волны распространяются, в основном, путем отражения от ионосферы. Радиус действия земной вол ...