Выбор конкретных элементов в качестве сопротивлений и емкостей навесных элементов микросхемы МС3362

Выбор резисторов:

Максимальную рассеиваемую мощность резисторов можно определить как:

где - ток коллектора транзистора КТ399А

- напряжение питания

Поэтому необходимо выбирать резисторы с номинальной мощностью, не менее 0,01Вт

Резистор R5 шунтирует колебательный контур частотного детектора, задавая тем самым необходимую крутизну и линейность как АЧХ так и ФЧХ контура, поэтому оно должно обладать стабильными параметрами. Применим резистор серии С2-23 обладающий:

Допуском

2.

1. Диапазоном рабочих температур - 600С¸+700С

2. Номинальной мощностью 0.062Вт

3. Номинал сопротивления: R5=39кОм

Резистор R6 является подтягивающим поэтому не требует высоких параметров. Применим резистор серии С2-23 обладающий:

Допуском

2.

1. Диапазоном рабочих температур - 600С¸+700С

2. Номинальной мощностью 0.062Вт

3. Номинал: R6=10 кОм.

Конденсаторы С9, С20, С15, С16, С13, С12 являются разделительными, а конденсаторы

С18, С19 задействованы в цепочке стабилизации питания, поэтому к ним предъявляются невысокие требования. Применим для конденсаторов С9, С20, С15, С16, С13, С12, С19 серию КБГ-И обладающие:

Допуском

Изменение емкости, не более

1. Диапазон рабочих температур - 600С¸+700С

2. Номинальным напряжением 200В

3. Номинальная ёмкость:

С9 =С15= С16=0,01мкФ

С20=0,001мкФ

С12 =С13= С19=0,1мкФ

Для конденсатора С18 (полярный) применим серию К53-1 обладающая:

Допуском

1. Изменением емкости, не более +50%

2. Диапазон рабочих температур - 600С¸+850С

3. Номинальным напряжением 6,3В

4. Номинальная ёмкость: С18=1мкФ

Конденсаторы С11, С10 задействованы в цепочке обратной связи второго гетеродина, конденсатор С14 задействован в колебательном контуре частотного детектора, поэтому их параметры должны быть стабильными. Применим конденсаторы серии К22-5 обладающие:

1. Диапазоном рабочих температур: - 600С¸+850С

Допуском .

3.

1. Номинальным напряжением 25В

2. Номинальная емкость:

С11 =51пФ,

С10 =120пФ,

С14 =180пФ.

Другие стьтьи в тему

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разработка систем автоматического регулирования
Основы теории управления - одна из дисциплин, образующих науку об управлении. Эта наука в последние годы распространила свое влияние не только на системы управления технического характера (станки, роботы, самонаводящиеся ракеты, беспилотные самолеты, космические аппа ...