Расчёты для выбора способа повышения надёжности усилителей

В качестве резервных усилителей используются усилители того же типа, что и основной. В курсовой работе рассчитываются нагруженное резервирование усилителей кратностью m=1 по схеме, показанной на рис.2, а также ненагруженное резервирование с кратностью m=1 (на рис.3) и кратностью m=2 (на рис.4).

Рис.2. Схема нагруженного дублирования усилителей

Коэффициент готовности усилителя при нагруженном резервировании кратностью m = 1 находится по формуле

(10)

где КГУ коэффициента готовности усилителя.

Рис.3. Схема ненагруженного дублирования усилителей

Рис.4. Схема ненагруженного троирования усилителей

Для вычисления коэффициента готовности резервированных усилителей в рассматриваемых условиях при использовании ненагруженного резервирования кратностью m используется формула

. (11)

Наиболее эффективный способ резервирования выбирается по наименьшему времени простоя за год. Параметр потока отказов для наиболее эффективного способа резервирования вычисляется по формуле

(12)

Параметр потока отказов переключателя

Время восстановления переключателя

Коэффициент готовности переключателя по формуле (6):

Расчёт с использованием нагруженного дублирования.

Коэффициент готовности усилителя при нагруженном дублировании кратностью m=1 находим по формуле (10):

Коэффициент простоя усилителя по формуле (7):

Время простоя усилителя за год по формуле (8):

Другие стьтьи в тему

Разработка устройства управления на базе микроконтроллера AVR семейства Classic фирмы Atmel
Микропроцессором (МП) называют построенное на одной или нескольких БИС/СБИС программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки информации и управление им. МП - центральный процессорный элемент микропроцессорной системы, в которую также входят память и устройства вв ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...