Расчет полевого транзистора с изолированным затвором

Исходные данные:

Расчет транзистора предполагает определение порогового напряжения Uпор, емкости затвор-канал Cзк; построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения; построение семейства статических выходных характеристик; определение максимальной рабочей частоты fmax.

Решение:

Удельная емкость между затвором и подложкой определяется по формуле:

Определим равновесный удельный поверхностный заряд:

Напряжение спрямления энергетических зон:

Потенциал уровня Ферми:

Пороговое напряжение равно:

Удельная крутизна:

Рассчитаем емкость затвор-канала:

затвор подложка энергетический заряд

Рисунок 1 - Передаточная характеристика МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

Крутизна МДП-транзистора в области насыщения определяем по формуле:

Рисунок 2 - Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

Максимальная рабочая частота определяется по формуле:

Другие стьтьи в тему

Расчет настроек типовых регуляторов в одноконтурной автоматической системе реагирования
автоматический Цель работы: Определить настроечные параметры (настройки) типового (ПИ, ПИД, ПД) регулятора в одноконтурной АСР, обеспечивающие минимум интегрального квадратичного критерия I0 при заданном ограничении запаса устойчивости m≥mзад. Выбрать промышленный регулят ...

Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база (микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2022 : www.techelements.ru