Радиоэлектроника и телекоммуникации
Сопровождается удалением поверхностного слоя с механически нарушенной кристаллической структурой, вместе с которым удаляются и имеющиеся на поверхности загрязнения. Травление является обязательной технологической операцией.
Кислотное травление полупроводников в соответствии с химической теорией идет в несколько этапов: диффузия реагента к поверхности, адсорбция реагента поверхностью, поверхностные химические реакции, десорбция продуктов реакции и диффузия их от поверхности.
Травители, для которых самыми медленными, определяющими суммарный процесс травления этапами являются диффузионные, называются полирующими. Они нечувствительны к физическим и химическим неоднородностям поверхности, сглаживают шероховатости, выравнивая микрорельеф. Скорость травления в полирующих травителях существенно зависит от вязкости и перемешивания травителя и мало зависит от температуры.
Травители, для которых самыми медленными стадиями являются поверхностные химические реакции, называются селективными. Скорость травления в селективных травителях зависит от температуры, структуры и кристаллографической ориентации поверхности и не зависит от вязкости и перемешивания травителя. Селективные травители с большой разницей скоростей травления в различных кристаллографических направлениях принято называть анизотропными.
Поверхностные химические реакции при полирующем травлении проходят в две стадии: окисление поверхностного слоя полупроводника и перевод окисла в растворимые соединения. При травлении кремния роль окислителя выполняет азотная кислота:
Фтористоводородная (плавиковая) кислота, входящая в состав травителя, переводит окись кремния в тетрафторид кремния:
Для травления, дающего зеркальную поверхность пластин, используют смесь указанных кислот в соотношении 3: 1, температура травления 30.40°С, время травления около 15 с.
Другие стьтьи в тему
Расчет импульсного преобразователя сетевого напряжения
На рисунке 1.1 приведена структурная схема повышающего преобразователя
напряжения на микросхеме KP1156EУ5.
Рисунок 1.1- Структурная схема повышающего преобразователя напряжения на
микросхеме KP1156EУ5
Структурная схема приведенного устройства состоит из входного ...
Проектирование цифровой первичной сети связи
Научно-технический прогресс во многом
определяется скоростью передачи информации и объемом переданной информации.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется в результате применения волоконно-оптических линий связи (ВОЛС),
которые по срав ...