Описание структурной схемы приемника

Приложение Б

Расчет резистивного УРЧ.

Исходные данные

Напряжение питания, Eпит 9.0000E+0000 В

Ток коллектора, Iкo 1.0000E-0002 А

Контактная разность потенциалов на переходе Б-Э 5.0000E+0000 В

статический коэффициент передачи по току h21min 1.0000E+0001

статический коэффициент передачи по току h21max 1.0000E+0001

промежуточная частота, fmax 1.0700E+0007 Гц

входная проводимость транзистора

активная (g11) 2.2300E-0002 См

реактивная (b11) 4.9800E-0003 См

активная (g22) 2.2900E-0004 См

реактивная (b22) 1.9200E-0003 См

активная (g21) 2.0800E-0001 См

реактивная (b21) 3.6800E-0002 См

входная проводимость следующего каскада

активная (g11ck) 2.2300E-0002 См

реактивная (b11ck) 4.9800E-0003 Cм

Результаты расчета

Сопротивление в цепи эмиттера, Rэ 2.0000E+0002 Ом

Сопротивление в цепи коллектора, Rк 2.5000E+0002 Ом

Сопротивления делителя, R1 1.8000E+0004 Ом 7.2000E+0004 Ом

Мощность, рассеиваемая на R1 1.8000E-0004 Вт

Мощность, рассеиваемая на R2 7.2000E-0004 Вт

Мощность, рассеиваемая на Rэ 2.0000E-0002 Вт

Мощность, рассеиваемая на Rк 2.5000E-0002 Вт

Разделительные, блокировочные

и фильтровые конденсаторы 2.9749E-0008 Ф

Коэффициент усиления по напряжению 1.0863E+0001

Коэффициент усиления по напряжению 2.0719E+0001 дБ

Другие стьтьи в тему

Разработка измерительного преобразователя
Современная экономика характеризуется широкой интеграцией передовых технологий, в том числе и в области промышленной электроники. Мировая тенденция - тесное сотрудничество разработчиков элементной базы, электронных систем и аппаратуры, т. е. объединение научно-технических потенциал ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...