Расчет напряженности поля на линии связи ионосферной волной

Исходные данные

Дальность радиосвязи: r 1500, км.

Рабочие частоты: f1, 3,5 МГц

f2, 8,5 МГц.

Мощность, подводимая к антенне: Р1, 1 кВт.

Коэффициент усиления передающей антенны: G1. 1,6

Время осуществления радиосвязи (местное время в точке отражения): Т1, 16 ч

Т2,04 ч.

Задание

1. Определить максимально применимые частоты (МПЧ) и оптимальные рабочие частоты (ОРЧ) слоев F2, F1, E для заданных протяженности радиотрассы r и времени суток Т1, Т2.

. Рассчитать напряженность поля ионосферной волны (ИВ) для рабочих частот f1, f2 в заданное время суток Т1, Т2.

. Сделать выводы о влиянии частоты и времени суток на напряженность поля ИВ.

Общие сведения по расчету радиолинии связи ионосферной волной

Определение МПЧ и ОРЧ

. Расчет МПЧ и ОРЧ проводят в следующей последовательности:

1. Для заданной длины трассы определим углы падения ИВ на слои ионосферы , , из выражения:

,

где - угловое расстояние от центра Земли между точками передачи и приема; а - радиус Земли (6370 км); hд - действующая высота слоев F1, F2, E.

= 1500/222,4=6,74

Значения действующих высот необходимо принять следующими:

(днем);

(ночью);

(только днем);

(днем и ночью).

. По графикам суточного хода критических частот для слоев F2, F1, E, определим частоты , , :

Для времени Для времени =4 ч:

=8,9 МГц =6 МГц

=5,1 МГц =-

=3 МГц =1.6 МГц

. Рассчитаем МПЧ слоев F2, F1, E между точками передачи и приема:

; ;

МПЧ слоёв F2, F1, E при Т=16 ч: МПЧ слоёв F2, F1, E при Т=04 ч:

. Определим ОРЧ слоев F2, F1, E, учитывая следующее обстоятельство. Рассчитанные значения МПЧ обеспечивают отражение в 50% времени (медианные значения МПЧ). Для увеличения надежности отражения рабочую частоту уменьшают. Установлено, что для обеспечения отражения в 90% времени МПЧ для слоя F2 необходимо уменьшить на 15%; для слоя F1 - на 5%. Полученные частоты называют оптимальными рабочими частотами (ОРЧ). Для слоя Е значения МПЧ и ОРЧ совпадают, так как он по своим электродинамическим характеристикам является самым стабильным.

Тогда

; ; .

ОРЧ слоев F2, F1, E при Т=16 ч: ОРЧ слоев F2, F1, E при Т=04 ч:

Другие стьтьи в тему

Проектирование цифровых устройств
1. Произвести синтез цифрового устройства управления (ЦУУ) в базисах мультиплексоров, логических элементов Шеффера и Пирса в соответствии с заданным вариантом (приложения №1 и №2). 2. Произвести схемотехническое моделирование синтезированных схем ЦУУ с помощью программы Electronics Wor ...

Резистивные преобразователи
Резистивные преобразователи представляют собой разновидность параметрических преобразователей, которые под воздействием измеряемой величины изменяют собственное электрическое сопротивление или сопротивление участка цепи. Измеряют угловое и линейное перемещение, входят в состав д ...