Расчет напряженности поля на линии связи ионосферной волной

Рис. 2.2.1

Рис. 2.2.2

Определение напряженности поля ИВ

. Существующие методы расчета напряженности поля ИВ являются приближенными. В инженерной практике наибольшее распространение получил метод А.Н. Казанцева, используемый для определения медианного значения напряженности поля ИВ на трассах, проходящих в средних широтах.

Расчет напряженности поля проводят обычно для одного (основного) луча, а действие других учитывают при оценке быстрых замираний. Основным называют луч, претерпевший наименьшее количество отражений от ионосферы и прошедший меньший путь в ней.

Следовательно, перед тем как начинать рассчитывать напряженность поля ИВ, необходимо определить основной луч для заданной радиотрассы. Для этого требуется найти все лучи, способные отражаться от слоев ионосферы, руководствуясь условием

,

где f - рабочая частота; fмпч - МПЧ для слоя ионосферы, определенная ранее. Далее из всех отразившихся от слоев ионосферы лучей выбрать один, прошедший наименьший путь в ней.

Исходное выражение для определения действующего значения напряженности поля ИВ по методу Казанцева имеет вид

.

Здесь Р1 - мощность, подводимая к антенне; G1 - коэффициент усиления передающей антенны; rл - расстояние, проходимое волной по основному лучу (по ломаной линии) между точками передачи и приема; - модуль коэффициента отражения от Земли; n - число отражений от ионосферы; Г - интегральный коэффициент поглощения в ионосфере.

Значение rл определяется из выражения

.

Определим напряжённость поля ИВ днём при частоте =3,5МГц:

,5 МГц МГц

Значит, луч отражается от слоя E:

(G1+G2), дБ

Рис. 1

= + 4

Определим напряжённость поля ИВ ночью при частоте =5.5МГц:

,5 МГц

Значит, луч отражается от слоя E:

=4

51,5

Определим напряжённость поля ИВ днём при частоте =11,5МГц:

11,5МГц

Значит, луч отражается от слоя E:

=

+ 4

Определим напряжённость поля ИВ ночью при частоте =6 МГц:

6 МГц

Значит, луч отражается от слоя :

Другие стьтьи в тему

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Расчет параметров поплавкового компенсационного акселерометра
Развитие авиастроение связано с созданием ЛА новых типов, одним из требований которых является высокий уровень автоматизации процесса управления полётом. Измерение линейных ускорений является одним из важнейших элементов автоматизации управления ЛА. В данной курсовой работе рассма ...