Расчет входного сопротивления антенны

Входное сопротивление антенны характеризует ее импедансные свойства в точке питания (в месте подсоединения фидера) и равно отношению напряжения к току на входе фидера.

(12)

Из предыдущей формулы выразим Rвх:

ДН основного излучения

Диаграмма направленности ФАР получена с помощью программы MATHCAD.

Рисунок 4. Диаграмма направленности ВФАР

Определение габаритных параметров решётки

. Определим габаритные размеры решетки.

Qг - это ширина ДН в горизонтальной плоскости,

Qв - это ширина ДН в вертикальной плоскости.

Qв =68.8*l\lang1033 Ly 2Qв =40

Qг =50.8*l\lang1033 Lx 2Qг =3

. Находим размеры Ly и Lx :

Lx=54,2 мм

Ly=55 мм

. Находим размеры ячеек решетки :

ар= Ly ар=54,2 мм

d=l1+sin60o)=31 мм

bр=d-2t

t = 12 мм

. Найдём количество излучателей :

Nх = 54,2*24/31=42, Ny = 55*24/31=43

N= Nх + Ny = 85.

Заключение

волноводная фазированная антенная решетка

В данной курсовой работе была разработана и рассчитана волноводная фазированная антенная решетка (ВФАР). Для большинства текущих расчетов ВФАР использовался MATHCAD. Также в результате проделанной курсовой работы были рассчитаны основные электрические показатели ВФАР: входное сопротивление, действующая длина, шумовая температура, КНД, КПД, предельная пропускная мощность, сектор сканирования. Была построена ДН ВФАР.

Другие стьтьи в тему

Разработка кабельной магистрали для организации многоканальной связи различного назначения на участке г. Биробиджан – УАК10
Научно-технический прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом. Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно реализуется в результате применения волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), которые по сравнению с такими широ ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...