Расчёт усилителя радиочастоты

Т.к. нужно получить усиление более 1.75 раза, используем схему однокаскадного УРЧ рис. 2.1. Она удобна в усилителях с фиксированной рабочей частотой, так как не требует выполнения отвода у контурной катушки при автотрансформаторном включении.

В качестве активного элемента применяется транзистор КТ399А.

Рис.2.1

Расчёт элементов схемы питания

Определяем изменение обратного тока коллектора

где - обратный ток коллектора транзистора КТ399А.

Находим тепловое смещение напряжения базы

где .

Рассчитаем необходимую нестабильность коллекторного тока

Вычисляем сопротивление

Вычисляем сопротивление

Находим и

Подсчитываем ёмкости и

Входное сопротивление усилителя

где - входное сопротивление транзистора.

Разделительная ёмкость

где ; ; .

2.1.2 Расчёт контура в цепи коллектора УРЧ

Определяем коэффициент шунтирования контура входным сопротивлением микросхемы МС 3362 и выходным сопротивлением транзистора, допустимым из условий устойчивости и обеспечения заданной эквивалентной добротности:

где - устойчивый коэффициент усиления усилителя;

- крутизна транзистора на рабочей частоте;

- ёмкость коллектор-база транзистора КТ399А;

- входное сопротивление микросхеме МС 3362

- выходное сопротивление транзистора.

. Необходимые конструктивные и эквивалентные затухания контура

. Определяем характеристическое сопротивление контура, приняв коэффициент включения в цепь коллектора :

. Выбираем эквивалентную ёмкость контура согласно табл.3 (см. приложение) .

. Определяем коэффициент включения контура

Другие стьтьи в тему

Разработка проекта технической составляющей системы защиты речевой информации на объекте информатизации
В век информации, когда действует принцип - кто владеет информацией, тот владеет миром, желающих таким образом овладеть миром предостаточно, а значит, существует устойчивый спрос на информацию, полученную несанкционированным путем. В такой ситуации головная боль владельца информации - ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...