Предварительный расчет оконечного каскада УЗЧ

В рассчитываемых приемниках должны применяться безтрансформаторные схемы УЗЧ, с разделительным конденсатором в режиме АВ или В.

Определяем расчетную мощность, учитывающую потери на эмиттерных резисторах.

(2.2)

где, - расчетная мощность, принимаемая при дальнейших расчетах, Вт;

- заданная номинальная выходная мощность УЗЧ, Вт.

Максимальная мощность при заданном напряжении питания вычисляется по формуле:

(2.3)

где, - сопротивление динамической головки, из таблицы 2.1

- напряжение источника питания, необходимое для получения заданной мощности, В;

- напряжение насыщения выходных транзисторов, В (для кремниевых транзисторов 0,6-5).

Если получилось меньше, чем по формуле (2.3), то необходимо или применить выходные транзисторы с меньшим напряжением насыщения, или использовать специальные схемы УЗЧ, например мостовую схему.

Для мостовой схемы формула (2.3) имеет другой вид:

(2.4)

Г

де, - максимальная мощность в мостовой схеме, Вт;

Находим амплитуду тока выходных транзисторов:

(2.5)

где, - амплитуда тока коллектора, А.

Вычисляем средний ток,потребляемый от источника питания:

(2.6)

где, - ток потребляемый от источника УЗЧ, А.

Вычисляем максимальную мощность, рассеиваемую на коллекторе выходного транзистора одного плеча:

(2.7)

где, - максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе выходного транзистора, Вт.

Выбираем выходные транзисторы по условиям;

(2.8)

- максимальное напряжение коллектор - эмиттер транзистора, В;

- максимально допустимый ток коллектора, А;

- максимальная рассеиваемая мощность, при данной температуре среды, Вт;

максимальная температура перехода транзистора, С;

- максимальная температура корпуса, С;

- тепловое сопротивление переход-среда. С/Вт;

- максимальная частота транзистора в схеме ОЭ, кГц.

Вычисляем ток коллектора предвыходных транзисторов:

Другие стьтьи в тему

Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе
Цель работы: расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков комп ...

Разработка проекта сети доступа по технологии GPON микрорайона №5 г. Минусинска
Тенденция развития телекоммуникационной сети начала ХХI века должна отвечать времени, то есть быть высокоорганизованной, интеллектуальной, автоматизированной, соответствовать техническому уровню высокоразвитых стран мира, обеспечивать передачу разнообразных сообщений и предоставление ...