Расчет усилителя низкой частоты

Исходные данные к расчёту:

Rг=1 (кОм);

Uвх=1 (В);

Pвых=100 (Вт);

Rнаг=4 (Ом);

Дf=20ч20000 (Гц);

ДT=(10 ч 50) oC;

Кгос=5%;

Uп - задаётся

Выходной каскад усилителя

Расчет усилителя следует начинать с расчета выходного каскада. Выходные каскады, используемые для построения усилителей мощности, бывают двух типов - однотактные и двухтактные. В данной работе используется двухтактный эмиттерный повторитель.

Оценка технического задания:

На заданной нагрузке Rн=4 Ом необходимо получить мощность Pвых=100 Вт, отсюда следует что амплитуда выходного напряжения будет равняться:

где Uкд - действующее коллекторное напряжение.

Тогда максимальное коллекторное напряжение Uкm будет в раз больше, то есть будет составлять

Необходимое напряжение питания находим по формуле:

где Uкmin=2ч5 (В), примем Uкmin=2 (В). Выберем двуполярное питание, тогда Еп=±30,2.

Рассчитаем максимальный ток коллектора, отдаваемый транзисторами в нагрузку:

;

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора выходного каскада:

По параметрам Pрас, Uкm, Iкm, fгран выбираем комплементарную пару транзисторов для оконечного каскада: КТ908А (n-p-n типа) и КТ907А (p-n-p типа), так как выходной каскад двухтактный.

Из характеристики транзистора h21э(Iк), изображенной на рис. h21э=в=25, при данном токе коллектора.

Зависимость h21э(Iк) транзистора КТ908А

Входная характеристика Выходная характеристика

КТ908А КТ908А

В системе координат выходной характеристики (рис. 2.1.3) строим треугольник мощности: откладываем величину Uкэ, Iк, затем соединяем точки Iк и Uкэ.

По выходной характеристике определяем:

.

По входной характеристике (рис. 2) определяем напряжение базо-эмиттерного перехода:

Резисторы принимают равными друг другу и выбирают из такого расчёта, чтобы падение напряжения на них не превышало 1 (В). Исходя из этого, примем . При на резисторахбудет падать напряжение .

Зададим ток покоя ,Þ.

Другие стьтьи в тему

Разработка шлирен–проектора для контроля объективов
Оптический контроль основан на анализе взаимодействия оптического излучения с объектами контроля. В качестве объектов контроля могут служить материалы и изделия, технологические процессы и параметры окружающей среды. Для получения измерительной информации об объекте контроля использ ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...