Расчет усилителя низкой частоты

По характеристике h21э(Ik) транзистора Т3 (рис) находим h21э = 40.

Характеристика h21э(Ik) транзисторов КТ816Г и КТ817Г

Тогда ток базы Т3 . По входной характеристике транзистора Т3 находим . Падение напряжения на диодах D1 и D2 при токе делителя .На одном диоде должно падать Ток делителя задается равным , тогда

Зависимость прямого тока от напряжения для диодов КД103А(а) и КД101 (б)

Выберем диоды D1 и D2 так, чтобы при токе 45 (мА) на них падало 0,68 (В). Этим параметрам соответствуют диоды 2Д103А. На рис. 2.1.7. (а) представлена диодная характеристика .

Через сопротивление R4 течет ток

Сопротивление источника тока определяется по формуле:

Перейти на страницу: 1 2 3 

Другие стьтьи в тему

Разработка устройства кодирования двухкаскадным способом
Эффективная организация обмена информацией приобретает все большее значение, прежде всего как условие успешной практической деятельности людей. Объем информации, необходимой для нормального функционирования современного общества, растет в соответствии с развитием производстве ...

Разработка измерительного преобразователя
Современная экономика характеризуется широкой интеграцией передовых технологий, в том числе и в области промышленной электроники. Мировая тенденция - тесное сотрудничество разработчиков элементной базы, электронных систем и аппаратуры, т. е. объединение научно-технических потенциал ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2020 : www.techelements.ru