Расчет усилителя низкой частоты

По характеристике h21э(Ik) транзистора Т3 (рис) находим h21э = 40.

Характеристика h21э(Ik) транзисторов КТ816Г и КТ817Г

Тогда ток базы Т3 . По входной характеристике транзистора Т3 находим . Падение напряжения на диодах D1 и D2 при токе делителя .На одном диоде должно падать Ток делителя задается равным , тогда

Зависимость прямого тока от напряжения для диодов КД103А(а) и КД101 (б)

Выберем диоды D1 и D2 так, чтобы при токе 45 (мА) на них падало 0,68 (В). Этим параметрам соответствуют диоды 2Д103А. На рис. 2.1.7. (а) представлена диодная характеристика .

Через сопротивление R4 течет ток

Сопротивление источника тока определяется по формуле:

Перейти на страницу: 1 2 3 

Другие стьтьи в тему

Разработка специализированного цифрового функционального узла
Разработать генератор чисел, формирующий при поступлении на его вход каждых N входных импульсов синхронизации, в зависимости от задаваемого управляющим сигналом режима, на выходах Z1 и Z2 одну из двух последовательностей значений сигналов, приведенных в табл. 1. Таблица 1. ...

Разработка проекта сети доступа по технологии GPON микрорайона №5 г. Минусинска
Тенденция развития телекоммуникационной сети начала ХХI века должна отвечать времени, то есть быть высокоорганизованной, интеллектуальной, автоматизированной, соответствовать техническому уровню высокоразвитых стран мира, обеспечивать передачу разнообразных сообщений и предоставление ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru