Расчет усилителя низкой частоты

По характеристике h21э(Ik) транзистора Т3 (рис) находим h21э = 40.

Характеристика h21э(Ik) транзисторов КТ816Г и КТ817Г

Тогда ток базы Т3 . По входной характеристике транзистора Т3 находим . Падение напряжения на диодах D1 и D2 при токе делителя .На одном диоде должно падать Ток делителя задается равным , тогда

Зависимость прямого тока от напряжения для диодов КД103А(а) и КД101 (б)

Выберем диоды D1 и D2 так, чтобы при токе 45 (мА) на них падало 0,68 (В). Этим параметрам соответствуют диоды 2Д103А. На рис. 2.1.7. (а) представлена диодная характеристика .

Через сопротивление R4 течет ток

Сопротивление источника тока определяется по формуле:

Перейти на страницу: 1 2 3 

Другие стьтьи в тему

Резистивные преобразователи
Резистивные преобразователи представляют собой разновидность параметрических преобразователей, которые под воздействием измеряемой величины изменяют собственное электрическое сопротивление или сопротивление участка цепи. Измеряют угловое и линейное перемещение, входят в состав д ...

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2025 : www.techelements.ru