Расчет цепи смещения.

Напряжение смещения равняется падению напряжения на транзисторе Т1 и Т2 и резисторах R1 и R2 и при максимальном токе коллектора . Максимальный ток коллектора для транзистора Т4 Мощность, рассеиваемая на транзисторе Т4 По этим параметрам подбираем транзистор Т4 - КТ914А. Характеристики транзистора КТ914А изображены на рис.

Входная и выходная характеристики транзистора КТ914А

При токе коллектора .Отсюда . По входной характеристике транзистора Т4 находим . Падение на резисторе R6

=.Ток делителя Iдсм=47 (мА). Тогда

R7 находится по формуле:

При токе покоя напряжение смещения.

Общее сопротивление цепи смещения определяется как

Тогда

Схема выходного каскада приведена на рис.

Выходной каскад усилителя

Рассчитаем коэффициент усиления выходного каскада:

где

тогда

Входной каскад усилителя

В качестве входного каскада применяют дифференциальный каскад. Схема используемого дифференциального каскада изображена на рис.

Дифференциальный каскад.

Ток в коллекторных цепях Т7 и Т8 должен быть больше 5мА. Выберем .

Таким образом .

Выберем транзисторы Т7, Т8. Пусть Это будут транзисторы КТ210А со статическим коэффициентом передачи по току , следовательно . Характеристики транзисторов КТ210А изображены на рис.

Входная и выходная характеристики транзистора КТ210А

Расчет источника тока дифференциального каскада

Источник тока рассматриваемой схемы должен выдавать ток равный . Схема используемого источника тока изображена на рис.

Другие стьтьи в тему

Расчет схемы двухканального блока питания управляющего устройства
Блок питания (БП) - устройство, предназначенное для формирования напряжения, необходимого системе, из напряжения электрической сети. Чаще всего блоки питания преобразуют переменное напряжение сети 220 В частотой 50 Гц (для России, в других странах используют иные уровни и частоты) в ...

Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...