Радиоэлектроника и телекоммуникации
Напряжение смещения равняется падению напряжения на транзисторе Т1 и Т2 и резисторах R1 и R2 и при максимальном токе коллектора
. Максимальный ток коллектора для транзистора Т4
Мощность, рассеиваемая на транзисторе Т4
По этим параметрам подбираем транзистор Т4 - КТ914А. Характеристики транзистора КТ914А изображены на рис.
Входная и выходная характеристики транзистора КТ914А
При токе коллектора
.Отсюда
. По входной характеристике транзистора Т4 находим
. Падение на резисторе R6
=.
Ток делителя Iдсм=47 (мА). Тогда
R7 находится по формуле:
При токе покоя напряжение смещения
.
Общее сопротивление цепи смещения определяется как
Тогда
Схема выходного каскада приведена на рис.
Выходной каскад усилителя
Рассчитаем коэффициент усиления выходного каскада:
где
тогда
Входной каскад усилителя
В качестве входного каскада применяют дифференциальный каскад. Схема используемого дифференциального каскада изображена на рис.
Дифференциальный каскад.
Ток в коллекторных цепях Т7 и Т8 должен быть больше 5мА. Выберем .
Таким образом .
Выберем транзисторы Т7, Т8. Пусть Это будут транзисторы КТ210А со статическим коэффициентом передачи по току , следовательно
. Характеристики транзисторов КТ210А изображены на рис.
Входная и выходная характеристики транзистора КТ210А
Расчет источника тока дифференциального каскада
Источник тока рассматриваемой схемы должен выдавать ток равный . Схема используемого источника тока изображена на рис.
Другие стьтьи в тему
Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для
построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее
широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...