Расчет цепи смещения.

Источник тока дифференциального каскада

Входная и выходная характеристики транзистора КТ605А

Пусть транзистор Т6 - КТ605А, для которого , следовательно . Характеристики транзистора КТ605А изображены на рис. 2.2.4.

Ток делителя

Выберем падение на резисторе R7=0,61 (B), тогда Падение напряжения на диодах D3 и D4 при токе делителя На одном диоде должно падать , тогда

Выберем диоды D3 и D4 так, чтобы при токе 11,9 (мА) на них падало 0,65 (В). Этим параметрам соответствуют диоды 2Д101А. На рис. 2.1.7. (б) представлена диодная характеристика .

Через сопротивление R4 течет ток

Сопротивление источника тока определяется по формуле:

Входное сопротивление дифференциального каскада:

Так как, то

Необходимое условие выполняется так как RГ=1 (кОм).

Оценим коэффициент усиления дифференциального каскада по формуле:

Общий коэффициент усиления равен произведению коэффициентов усиления выходного и входного каскадов:

Полученный коэффициент усиления удовлетворяет расчетному заданию.

Полная схема усилителя изображена на рис.

Схема усилителя низких частот

Расчет цепей обратной связи

Сопротивления R12 и R13 образуют обратную связь. Емкости С1 нужна для предотвращения попадания постоянной составляющей на землю, то есть короткого замыкания.

Для того чтобы в цепи обратной связи тек ток необходимо, чтоб входы дифференциального каскада были немного смещены относительно половины напряжения питания. Напряжение на входах должно быть ниже напряжения на выходе. Выберем сопротивление R12, так чтобы падение на нем стремилось к нулю, UR12 =0,0135 (В), тогда

Исходя из формулы

,

Резистор R14 выбираем равным R12, R14=56 (Ом). Падение потенциала на входе усилителя будет равно UR14 =0,0135 (В).

Cопротивление емкости C1 RC=R13/10=0,2 (Ом). Емкость С1 находим по формуле:

Заключение

В данной курсовой работе был произведен расчет усилителя низких частот с двуполярным источником питания. Чтобы уменьшить нелинейные искажения в схему были включены цепи отрицательной обратной связи. Была разработана схема усилителя на биполярных транзисторах [Приложение].

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие стьтьи в тему

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...

Разработка измерительного преобразователя
Современная экономика характеризуется широкой интеграцией передовых технологий, в том числе и в области промышленной электроники. Мировая тенденция - тесное сотрудничество разработчиков элементной базы, электронных систем и аппаратуры, т. е. объединение научно-технических потенциал ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2022 : www.techelements.ru