Радиоэлектроника и телекоммуникации
При амплитудно-логической обработке амплитудные значения четырёх сигналов с датчика сравниваются между собой четырьмя компараторами. Логические сигналы с выходов компараторов преобразуются в двоичный позиционный трёхразрядный код в логическом блоке. В этом же блоке формируются импульсы счёта для канала грубого отсчёта накапливающего типа.
Входную часть электронного блока можно строить по двум структурным схемам (рисунки 7.1, 7.2).
В первом устройстве (рисунок 7.1) амплитуду сигналов выделяют амплитудные детекторы 1. Затем амплитудные значения сигналов сравниваются между собой компараторами 2.
В этом случае погрешность вторичного преобразователя определяется погрешностью амплитудных детекторов и компараторов.
В устройствах построенных по второй структуре (рисунок 7.2), компараторы 2 сравнивают мгновенные значения сигналов с выходов датчика. Запись состояний компараторов в запоминающее устройство 4 происходит в момент прохождения сигналов с датчиков через максимум.
Погрешность вторичного преобразователя в этом случае определяется погрешностью компараторов и синфазностью сигнала с датчика.
Коэффициент детектирования Кдет пассивного амплитудного детектора (рисунок 7.3) согласно [14] для синусоидального сигнала и идеального диода равен:
, (7.1)
где S-крутизна вольтамперной характеристики диода,
- сопротивление нагрузки.
Для сигналов произвольной формы [28]
- амплитудный детектор;
- компаратор;
- логическая часть.
Рисунок 7.1 - Структурная схема сравнения с амплитудными детекторами
- генератор;
- компаратор;
- логическая часть;
- запоминающее устройство.
Рисунок 7.2 - Структурная схема сравнения с компараторами
Рисунок 7.3 - Амплитудный детектор
, (7.2)
где ,
,
,
,
,
,
- скважность сигнала,
,пр - прямое сопротивление диода,обр - обратное сопротивление диода.
Для напряжений менее одного вольта вольтамперная характеристика диода описывается выражением:
, (7.3)
где и
- параметры аппроксимации.
При синусоидальном входном напряжении выходное напряжение амплитудного детектора [15]:
. (7.4)
При воздействии импульсного напряжения функция преобразования будет определяться выражением [8]:
. (7.5)
Для уменьшения погрешности необходима идентичность амплитудных детекторов.
Погрешность из-за неодинаковости и
детекторов равна:
. (7.6)
Чтобы получить высокую точность преобразователя, необходимо подбирать четвёрки одинаковых диодов, по крайней мере, по трём параметрам:
прямому сопротивлению;
нелинейности;
Другие стьтьи в тему
Разработка газолазерной головки для резки полимерных композиционных материалов
Полимерные
композиционные материалы: основные типы
Композиционные
материалы (композиты) [1] - многокомпонентные материалы, состоящие, как
правило, из пластичной основы (матрицы), армированной наполнителями,
обладающими высокой прочностью, жесткостью и т.д. Сочетание разнородных в ...
Резистивные преобразователи
Резистивные преобразователи представляют собой разновидность
параметрических преобразователей, которые под воздействием измеряемой величины
изменяют собственное электрическое сопротивление или сопротивление участка
цепи. Измеряют угловое и линейное перемещение, входят
в состав д ...