Выбор элементной базы устройства

) Полное отсутствие вторичного пробоя. Это преимущество позволяет эффективнее использовать полевой транзистор по передаваемой мощности.

Для создания необходимого зондирующего магнитного поля, ток, развиваемый в генераторной рамке, должен иметь величину 10 ампер. Создание таких больших токов до последнего времени затрудняло построение металлодетекторов, использующих импульсный метод намагничивания. Ситуация изменилась с появлением мощных КМОП транзисторов, способных коммутировать токи величиной в десятки ампер. В данной работе используются мощные КМОП-транзисторы КП723В (аналог IRFZ40). Максимальный ток стока, на который рассчитан этот транзистор, составляет 50 А, что вполне удовлетворяет поставленным требованиям. Особенностью данного транзистора, как и многих других мощных КМОП-ключей, является включенный между стоком и истоком защитный стабилитрон (показан на рисунке 5.2). В проектируемой схеме стабилитроны, входящие в состав транзистора, ограничивают амплитуду выбросов напряжения на индуктивности генераторной рамки, что является достаточно нетривиальным решением, позволяющем не прибегать к дополнительной схеме ограничения, приводящей к усложнению устройства.

Рисунок 5.2 - Условное обозначение транзистора КП723В

Важный момент, о котором нужно помнить при использовании мощных полевых транзисторов - это достаточно высокая входная емкость Сзи (для IRFZ40 емкость порядка 2000 pF), что приводит к большим динамическим токам затвора. Для максимально быстрого включения КМОП-ключа необходим источник напряжения с минимальным внутренним сопротивлением, способный отдавать в импульсе достаточно высокий ток для заряда входной емкости транзистора. В этой ситуации использование порта микроконтроллера невозможно, поэтому для управления такими транзисторами применяют специальные микросхемы-драйверы, удовлетворяющие поставленным выше условиям. В настоящей работе использованы микросхемы IR2101 (производство International Rectifier). Внутренняя структура и расположение выводов приведено на рисунке 5.3 [10].

Рисунок 5.3 - Внутренняя структура и назначение выводов IR2101

В состав микросхемы входят два независимых драйвера для управления мощными ключами, что позволяет строить двухтактные схемы. В данном устройстве используется две IR2101 и четыре КП723В, объединенных в мостовую схему. Использование мостовой схемы позволяет повысить мощность, отдаваемую в нагрузку (в данном случае - генераторную рамку), ровно в два раза по сравнению с двухтактным включением. Для управления работой звукового излучателя также был использован указанный полевой транзистор, поскольку он удовлетворяет всем требованиям обвязки полярного излучателя звука S-424HDT вкупе в управлением светодиодной индикацией.

Все элементы, используемые в схеме, предназначены для поверхностного монтажа, что позволяет добиться повышения надежности устройства, уменьшения энергоемкости и, как следствие, увеличения времени работы от аккумуляторной батареи.

Перейти на страницу: 1 2 

Другие стьтьи в тему

Разработка технологической инструкции по обслуживанию и ремонту импульсной паяльной системы
Прохождение производственной практики позволяет практиканту закрепить теоретические знания, опробовав их на деле. Главной особенностью данной практики является то, что практикант имеет хорошую возможность для усовершенствования собственных навыков владения рабочим инструментом, а так ...

Разработка алгоритмов работы и оценка информационных характеристик системы передачи информации
Как известно, все процессы, которые происходят в окружающем мире, в том числе и на производстве, связаны с информацией - её получением, обработкой, хранением, передачей и отображением. В дисциплине «информационные основы электронной техники» понятие «информация» является одной из осно ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru