Расчет двухтактного бестрансформаторного каскада усиления мощности на транзисторах разного типа проводимости

Расчет второй пары транзисторов.

1. Для второй пары транзисторов составного каскада входные параметры первого являются выходными, то есть для выборов транзисторов используем следующие данные: on this page

,

следовательно

2. Исходя из рассчитанных данных выбираем пару транзисторов, это КТ814В и КТ815В с параметрами:

3. Представим выходные и входные ВАХ на которых построим нагрузачную прямую, и на входной характеристики определим значения входных параметров.

Рис. 4 Выходные характеристики транзистора КТ-814В.

Рис.5 Входная характеристика транзистора КТ-814В.

4. По входной ВАХ определим

5. Рассчитаем сопротивление входной цепи каскада R1 и R2 и выберем диод. Для этого задаем ток делителя

Искомые сопротивления определяем по формуле

Номинальные сопротивления по ряду Е24

Выбор диода осуществляем по допустимому прямому току

и току начала линейного участка прямой ветви ВАХ

Выбираем диод Д229В с параметрами представленными в таблицы 2.

Таблица 2

6. Определяем

По входной ВАХ определим параметр h11э

Параметр возьмем из справочных данных транзистора.

Величины и являются исходными данными для расчета предварительного каскада.

. Рассчитаем КПД усилителя мощности

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие стьтьи в тему

Разработка структурной схемы пункта управления частотной системы ТУ-ТС
Телемеханика - как отдельная область науки и техники выделилась сравнительно не давно. Но не смотря на свою относительную «молодость» сразу же начала развиваться стремительными темпами, охватывая все новые и новые отрасли промышленности и сельского хозяйства. Сегодня, мы уже даже не з ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2025 : www.techelements.ru