Термодатчики К1019ЕМ1, К1019ЕМ1А

Поскольку разность DUбэ пропорциональна абсолютной температуре, ей же пропорционально и напряжение на выводах 2 и 3 микросхемы. ТКН датчика, таким образом, равен 10 мВ/К; он является здесь и коэффициентом пропорциональности между выходным напряжением датчика и абсолютной температурой.

Для обеспечения высокой линейности преобразования и малого выходного сопротивления преобразования и малого выходного сопротивления микросхемы (менее 1 Ом) усилитель имеет высокий коэффициент усиления - более 40 000.

Рис.3 Рис.4

На рис. 3 и 4 показаны типовые зависимости дифференциального сопротивления микросхем от температуры окружающей среды (при токе питания 1 мА) и тока питания (при температуре окружающей среды 25 °С) соответственно. На обоих графиках заштрихованы области технологического разброса для 95 % микросхем.

На рис. 5 представлена типовая зависимость выходного напряжения (между выв. 2 и 3) от температуры окружающей среды.

Благодаря малому дифференциальному сопротивлению датчика его можно питать от источника напряжения (не менее 7 В) через последовательный резистор, сопротивление которого в килоомах должно быть на 3 кОм меньше значения напряжения Uпит в вольтах.

Рис.5

Для того же, чтобы в наибольшей степени реализовать возможности микросхемы, ее обычно питают от стабилизатора тока. Типовая схема включения датчика изображена на рис. 6. Генератор тока, собранный на транзисторах VT1, VT2, должен обеспечить ток через микросхему Iпит=1 мА. Ток устанавливают подборкой резистора R3. Отправное значение сопротивления этого резистора (в килоомах) можно рассчитать по формуле: RЗ=Uпит-1.7 (где Uпит - в вольтах).

Рис.6

С целью повышения точности измерения температуры в микросхеме предусмотрена цепь калибровки. При калибровке датчика подстроечным резистором R4 устанавливают по цифровому вольтметру выходное напряжение (в милливольтах) Uвых=10Тк, где Тк - температура в градусах Кельвина. Температуру также необходимо измерять точным термометром.

На рис. 7 показана схема термометра, показывающего температуру в градусах Цельсия. Вольтметр PV1 (стрелочный или цифровой) включен в цепь источника образцового напряжения G1. Точность измерения температуры здесь сильно зависит от стабильности образцового напряжения - изменение его на 0,1 % (на 2,7 мВ) вызовет изменение показания на 0,27 °С.

Рис.7

Основные электрические характеристики:

Ток питания, мА1

Выходное напряжение, мВ, при токе питания 1 мА

и температуре 298К(25°С)2952 .3012

К (125°С)3932 .4032

К(-10°С) для К1019ЕМ1А2582 .2682

К(-45°С) дляК1019ЕМ1 2232 .2332

Предельно допустимый эксплуатационный режим:

Ток питания, мА 0,5 .1,5

Рабочий температурный интервал, °С, для К1019ЕМ1-45 .+125

Перейти на страницу: 1 2 3

Другие стьтьи в тему

Разработка устройства управления на базе микроконтроллера AVR семейства Classic фирмы Atmel
Микропроцессором (МП) называют построенное на одной или нескольких БИС/СБИС программно-управляемое устройство, осуществляющее процесс обработки информации и управление им. МП - центральный процессорный элемент микропроцессорной системы, в которую также входят память и устройства вв ...

Расчет канала связи
В данной курсовой работе требуется разработать структурную схему системы связи для передачи сигнала, представляющего собой человеческую речь в диапазоне частот 0,3кГц-3,4кГц. Вообще, человеческая речь - это аналоговый сигнал, но для его передачи разрабатываться будет дискретный (цифр ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru