Стабилизатор напряжения КР142ЕН19

Микросхема КР142ЕН19 представляет собой регулируемый параллельный стабилизатор напряжения - интегральный аналог стабилитрона - и предназначен для использования в блоках питания и других узлах высококачественной электронной аппаратуре широкого применения в качестве источника опорного напряжения (ИОН).

Микросхема КР142ЕН19 превосходит стабилитрон по многим параметрам:

.Она способна формировать регулируемое образцовое напряжение, меньшее чем у низковольтных стабилитронов.

.Обладает лучшими стабилизирующими качествами.

Прибор изготовлен по планарно-эпитаксиальной технологии с изолированным p-n-переходом. Оформлены они в пластмассовом корпусе КТ 26 (рис.1) с тремя жесткими выводами прямоугольного сечения. Масса прибора - не более 0,5 г. Ближайшая к КР142ЕН19 по характеристикам зарубежная микросхема - TL431.

Цоколёвка микросхемы: выв.2 - анод, выв.8 - катод; выв. 17 - вход управляющего сигнала (с делителя напряжения измерительного элемента).

Приборы рассчитаны на длительную эксплуатацию при температуре окружающей среды -10 .+70°С. Минимальная наработка на отказ - 50000 ч.

Упрощенно функциональная схема прибора показана на рис.2.

Рис.1 Рис.2

Микросхема содержит внутренний источник образцового напряжения Uобр.вн., определяющий ее минимальное выходное напряжение. Реально микросхема сохраняет работоспособность и обеспечивает заданные параметры при напряжении на аноде не ниже, чем на управляющем входе.

Параллельный стабилизатор, как правило, не требует дополнительного устройства защиты от перегрузки. При увеличении тока нагрузки ток через микросхему уменьшается, а при замыкании выхода становится равным нулю. Превышение входного напряжения также не создает угрозы для микросхемы, так как при этом лишь несколько увеличивается ее катодный ток, соответственно увеличивая падение напряжения на балластном резисторе.

Типовая схема включения микросхемы КР142ЕН19 представлена на рис.3.

Рис.3

Резистор R1 - балластный; критерии выбора те же, что и при выборе балластного резистора параметрического стабилизатора на стабилитроне. Резисторы R2 и RЗ образуют делитель напряжения измерительного элемента. Выходное напряжение Uвых и сопротивление резисторов R2 и RЗ связаны соотношениями:

Uвых=(1+R2/R3)×Uобр.вн.

Uвых/(R2+R3)³0.1мА

Конденсатор С1 емкостью 0.1 .1 мкф вводят при необходимости - он предупреждает паразитную генерацию в устройстве. Если необходимо плавно регулировать выходное напряжение, резистор R2 выбирают переменным.

Наиболее важным параметром микросхемы, работающей в источнике образцового напряжения (ИОН), является температурный коэффициент выходного напряжения. На рис.4 показана типовая температурная зависимость выходного напряжения микросхемы КР142ЕН19, снятая по результатам испытаний одной из партии приборов (заштрихована зона технологического разброса). Для основной массы производимых микросхем температурные изменения выходного напряжения находятся в пределах 2 мВ.

Рис.4

На рис.5 изображена типовая схема включения микросхемы КР142ЕН19 в качестве ИОН для случая, когда Uвых=Uобр.вн. .

Рис.5

Электрические характеристики:

при Токр.ср. = 25°С

Минимальное выходное напряжение, В,

при соединенных аноде и управляющем входе

(равное Uобр.вн.) катодном токе через микросхему 10 мА 2,44 .2,55

Ток входа управления, мкА, не более,

при катодном токе через микросхему 10 мА 5

Динамическое сопротивление, Ом, не более,

при минимальном выходном напряжении и

катодном токе через микросхему 10 мА 0,5

Нестабильность выходного напряжения

по управляющему напряжению, %/В, не более0,12

Предельно допустимые значения параметров:

Наибольшее напряжение между анодом и катодом, В30

Наибольший анодный ток, мА 100

Наименьший анодный ток, мА1,2

Наибольшая мощность рассеяния, Вт0,4

Температурный рабочий интервал, °С -10 .+70

Заключение

В ходе данного курсового проекта был разработан термометр на основе АЦП КР572ПВ5 с питанием от блока питания, собранного на микросхеме КР142ЕН1А, включенный по типовой схеме с защитой от короткого замыкания, на 9В. В качестве термодатчика используется микросхема К1019ЕМ1. Погрешность измерения d равна 0,27%. Задание выполнено в полном объеме.

Другие стьтьи в тему

Разработка проекта технической составляющей системы защиты речевой информации на объекте информатизации
В век информации, когда действует принцип - кто владеет информацией, тот владеет миром, желающих таким образом овладеть миром предостаточно, а значит, существует устойчивый спрос на информацию, полученную несанкционированным путем. В такой ситуации головная боль владельца информации - ...

Расчет подсистемы базовых станций (BSS)
ЧТП сетей радиосвязи предусматривает выбор инфраструктуры сети, места установки базовых станций, выбор типа, высоты и ориентации антенн, распределения частот между базовыми станциями. В настоящее время проектирование сети связи на определенной местности не является сложной задачей. П ...