Радиоэлектроника и телекоммуникации
В качестве магистрального кабеля применим QR715 JCASS, с коэффициентом затухания на нижней частоте Fн=55 MГц 1,18 дБ/100 м, затухание на верхней частоте Fв=870 MГц 5,31 дБ/100 м. Дополнительные параметры кабеля QR715 JCASS (рис.1.2) приведены в таблице 1.1 [1].
Таблица 1.1 - Параметры магистрального кабеля QR715 JCASS
Материал центрального проводника |
CuCAl |
Диаметр центрального проводника, мм |
4,22 |
Материал диэлектрика |
PE |
Диаметр диэлектрика, мм |
17,42 |
Материал экрана (цельнотянутая труба) |
Al |
Диаметр экрана |
18,16 |
Материал внешнего покрытия |
PE |
Диаметр внешнего покрытия, мм |
19,94 |
Волновое сопротивление, Ом |
75 ± 2 |
Минимальный радиус изгиба при 20°С, см |
12,7 |
Сопротивление внутреннего проводника, Ом/км |
1,90 |
Сопротивление наружного проводника, Ом/км |
1,37 |
Петлевое сопротивление, Ом/км |
3,27 |
Максимальное значение натяжения, кг/м |
154 |
Рисунок 1.2- Кабель QR715 JCASS
В качестве пассивного оборудования выберем продукцию фирмы Макротел. В таблице 1.2 и 1.3 представлены основные параметры используемых магистральных делителей и ответвителей (рис.1.3) соответственно, которые предназначены для ответвления части мощности высокочастотного сигнала из кабельной магистральной линии [2].
Рисунок 1.3 - Магистральный усилитель ОМ-2/10
Таблица 1.2 - Параметры магистрального делителя ДМ-2
Тип |
Прямые потери, дБ |
Частотный диапазон, МГц |
Транзит тока, А |
Линейность, дБ | |
ДМ-2 |
2´ 4, 2. 5, 5 |
5. 1000 |
10 |
±1,5 |
Таблица 1.3 - Параметры магистральных ответвителей
Тип |
Прямые потери, дБ |
Потери на отводе, дБ |
Частотный диапазон, МГц |
Транзит тока, А |
Линейность, дБ |
ОМ-1/8 |
2, 5 .4,0 |
8,0 |
5. 1000 |
10 |
±1,5 |
ОМ-2/10 |
3,0 .4,0 |
10 |
5. 1000 |
10 |
±1,5 |
Другие стьтьи в тему
Расчет многоканальной линии связи
Развитие современной техники привело к необходимости быстрого и
точного решения задач управления и координации с учетом событий, происходящих
на больших расстояниях от центров управления.
Характер в этом случае обуславливает особые требования к тракту:
во-первых, повышение пропускн ...
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных
микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высокоинтегрированные функ ...