Выбор оборудования для магистральной распределительной сети

В качестве магистрального кабеля применим QR715 JCASS, с коэффициентом затухания на нижней частоте Fн=55 MГц 1,18 дБ/100 м, затухание на верхней частоте Fв=870 MГц 5,31 дБ/100 м. Дополнительные параметры кабеля QR715 JCASS (рис.1.2) приведены в таблице 1.1 [1].

Таблица 1.1 - Параметры магистрального кабеля QR715 JCASS

Материал центрального проводника

CuCAl

Диаметр центрального проводника, мм

4,22

Материал диэлектрика

PE

Диаметр диэлектрика, мм

17,42

Материал экрана (цельнотянутая труба)

Al

Диаметр экрана

18,16

Материал внешнего покрытия

PE

Диаметр внешнего покрытия, мм

19,94

Волновое сопротивление, Ом

75 ± 2

Минимальный радиус изгиба при 20°С, см

12,7

Сопротивление внутреннего проводника, Ом/км

1,90

Сопротивление наружного проводника, Ом/км

1,37

Петлевое сопротивление, Ом/км

3,27

Максимальное значение натяжения, кг/м

154

Рисунок 1.2- Кабель QR715 JCASS

В качестве пассивного оборудования выберем продукцию фирмы Макротел. В таблице 1.2 и 1.3 представлены основные параметры используемых магистральных делителей и ответвителей (рис.1.3) соответственно, которые предназначены для ответвления части мощности высокочастотного сигнала из кабельной магистральной линии [2].

Рисунок 1.3 - Магистральный усилитель ОМ-2/10

Таблица 1.2 - Параметры магистрального делителя ДМ-2

Тип

Прямые потери, дБ

Частотный диапазон, МГц

Транзит тока, А

Линейность, дБ

ДМ-2

2´ 4, 2. 5, 5

5. 1000

10

±1,5

 

Таблица 1.3 - Параметры магистральных ответвителей

Тип

Прямые потери, дБ

Потери на отводе, дБ

Частотный диапазон, МГц

Транзит тока, А

Линейность, дБ

ОМ-1/8

2, 5 .4,0

8,0

5. 1000

10

±1,5

ОМ-2/10

3,0 .4,0

10

5. 1000

10

±1,5

Перейти на страницу: 1 2

Другие стьтьи в тему

Расчет многоканальной линии связи
Развитие современной техники привело к необходимости быстрого и точного решения задач управления и координации с учетом событий, происходящих на больших расстояниях от центров управления. Характер в этом случае обуславливает особые требования к тракту: во-первых, повышение пропускн ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2025 : www.techelements.ru