Расчет диаграммы уровней сигналов на ЦРРЛ

При проектировании ЦРРЛ рассчитывают средние мощности сигнала на входах приемников всех интервалов линии (точнее мощности при среднем значении градиента g). Средние значения уровней сигналов рассчитываются (и сравниваются с измеренными значениями):

Ø Для оценки качества настройки аппаратуры и антенно-волноводного тракта;

Ø Для проверки правильности построения профилей пролетов;

Ø Для оценки точности юстировки антенн;

Ø Для определения и поддержания в заданных пределах при эксплуатации ЦРРЛ энергетического запаса аппаратуры на замирания сигнала, определяемого как:

(5.1)

где: Рср - средний уровень сигнала, дБВт,

Рпор -пороговый уровень сигнала, дБВт.

Средняя мощность сигнала на входе приемника:

(5.2)

где: Ро - мощность сигнала на входе приемника для случая свободного пространства, определяемая как:

(5.3)

где Асв - затухание радиоволн в свободном пространстве,

и -потери энергии в антенно-волноводных трактах.

-уровень мощности сигнала на выходе передатчика,

и - коэффициенты усиления передающей и приемной антенн,

- значение множителя ослабления при среднем значении градиента диэлектрической проницаемости тропосферы

Величина находится в зависимости от относительного просвета при среднем значении градиента по графикам рисунка 3.1 методических указаний в зависимости от параметра :

(5.4)

р(g)=-0,01 для оптимальной высоты подвеса антенн

Для полученного значения р(g) по графику рисунка 3.1 методических указаний и для = 1,72 находим:

Таблица 5.1 - Расчет диаграммы уровней

Как следует из рисунка 5.3, требуемый запас на замирания равен 27,832 дБ, что не превышает величину предельно реализуемого запаса на замирания Vз.пр. равного 37,832 дБ. Таким образом, можно сделать вывод, что оптимальный просвет на пролете выбран верно.

Другие стьтьи в тему

Разработка измерительного преобразователя
Современная экономика характеризуется широкой интеграцией передовых технологий, в том числе и в области промышленной электроники. Мировая тенденция - тесное сотрудничество разработчиков элементной базы, электронных систем и аппаратуры, т. е. объединение научно-технических потенциал ...

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...