Радиоэлектроника и телекоммуникации
При лазерном скрайбировании (рисунок 8) разделительные риски между готовыми структурами создают испарением узкой полосы полупроводникового материала с поверхности пластины во время ее перемещения относительно сфокусированного лазерного луча. Это приводит к образованию в пластине сравнительно глубоких (до 50.100 мкм) и узких (до 25…40 мкм) канавок. Канавка, узкая и глубокая по форме, играет роль концентратора механических напряжений. При разламывании пластины возникающие напряжения приводят к образованию на дне канавки трещин, распространяющихся сквозь всю толщину пластины, в результате чего происходит ее разделение на отдельные кристаллы.
Наряду с созданием глубокой разделительной канавки достоинством лазерного скрайбирования является его высокая производительность (100.200 мм/с), отсутствие на полупроводниковой пластине микротрещин и сколов. В качестве режущего инструмента используют импульсный оптический квантовый генератор с частотой следования импульсов 5.50 кГц и длительностью импульса 0,5 мс.
Рисунок 8 - Схема лазерного скрайбирования полупроводниковой пластины
Другие стьтьи в тему
Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и
создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для
исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее
характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники
в целом и являе ...
Проектирование цифровой первичной сети связи
Научно-технический прогресс во многом
определяется скоростью передачи информации и объемом переданной информации.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется в результате применения волоконно-оптических линий связи (ВОЛС),
которые по срав ...