Радиоэлектроника и телекоммуникации
При лазерном скрайбировании (рисунок 8) разделительные риски между готовыми структурами создают испарением узкой полосы полупроводникового материала с поверхности пластины во время ее перемещения относительно сфокусированного лазерного луча. Это приводит к образованию в пластине сравнительно глубоких (до 50.100 мкм) и узких (до 25…40 мкм) канавок. Канавка, узкая и глубокая по форме, играет роль концентратора механических напряжений. При разламывании пластины возникающие напряжения приводят к образованию на дне канавки трещин, распространяющихся сквозь всю толщину пластины, в результате чего происходит ее разделение на отдельные кристаллы.
Наряду с созданием глубокой разделительной канавки достоинством лазерного скрайбирования является его высокая производительность (100.200 мм/с), отсутствие на полупроводниковой пластине микротрещин и сколов. В качестве режущего инструмента используют импульсный оптический квантовый генератор с частотой следования импульсов 5.50 кГц и длительностью импульса 0,5 мс.
Рисунок 8 - Схема лазерного скрайбирования полупроводниковой пластины
Другие стьтьи в тему
Разработка радиоприемного устройства импульсных сигналов
Радиоприёмное
устройство - устройство для приёма электромагнитных волн радиодиапазона, то
есть с длиной волны от нескольких тысяч метров до долей миллиметра, с
последующим преобразованием содержащейся в них информации к виду, в котором она
могла бы быть использована.
Данная
работ ...
Расчёт эффективности коротковолновой радиолинии на группе частот
К коротким волнам (КВ) относятся радиоволны с
частотами 3…30 МГц (длинами волн 10…100 м соответственно). В отличие от более
коротких волн, которые распространяются земной волной, декаметровые волны
распространяются, в основном, путем отражения от ионосферы. Радиус действия
земной вол ...