Разламывание пластин на кристаллы

Разламывание пластин на кристаллы после скрайбирования осуществляется механически, приложив к ней изгибающий момент. Отсутствие дефектов кристаллов зависит от приложенного усилия, которое зависит от соотношения габаритных размеров и толщины кристаллов.

Наиболее простым способом является разламывание пластин на кристаллы валиком (рисунок 9). Для этого пластину 3 помещают рабочей поверхностью (рисками) вниз на мягкою гибкою (из резины) опору 4 и с небольшим давлением прокатывают ее последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях стальным или резиновым валиком 1 диаметром 10¸30 мм. Гибкая опора деформируется, пластина изгибается в месте нанесения рисок и ломается по ним. Таким образом, разламывание происходит в две стадии - вначале на полоски, затем на отдельные прямоугольные или квадратные кристаллы.

Рисунок 9 - Разламывание полупроводниковых пластин на кристаллы валиком: 1 - валик; 2 - защитная пленка; 3 - кристалл; 4 - опора

Валик должен двигаться параллельно направлению скрайбирования, иначе ломка будет происходить не по рискам. Брак может проявиться также в том случае, если полоски или отдельные кристаллы смещаются относительно друг друга в процессе ломки. Поэтому перед ломкой пластины покрывают сверху тонкой эластичной полиэтиленовой пленкой 2, что позволяет сохранить ориентацию кристаллов в процессе ломки и избежать произвольного разламывания и царапания друг друга. Смещения кристаллов можно также избежать, поместив пластину перед разламыванием в герметичный полиэтиленовый пакет и откачав из него воздух.

Применяют различные установки, в которых валики движутся строго параллельно направлению рисок и имеют регулировки нагрузки. Более совершенен способ прокатывания пластины между двумя валиками (рисунок 10), при котором обеспечивается нагрузка, пропорциональная длине скрайберной риски.

Рисунок 10 - Разламывание полупроводниковой пластины прокатыванием между валиками: 1 - пластина; 2 - упругий валик; 3 - защитная пленка; 4 - стальной валик; 5 - пленка-носитель

Пластину 1, расположенную рисками вверх, прокатывают между двумя цилиндрическими валиками: верхним упругим (резиновым) 2 и нижним стальным 4. Для сохранения первоначальной ориентации кристаллов пластину закрепляют на термопластичной или адгезионной пленке-носителе 5 и защищают ее рабочую поверхность полиэтиленовой или лавсановой пленкой 3. Расстояние между валиками, определяемое толщиной пластины, устанавливают, перемещая один из них.

При прокатке более упругий валик в зависимости от толщины пластины деформируется и к ней прикладывается нагрузка, пропорциональная площади ее поперечного сечения или длине скрайберной риски. Пластина изгибается и разламывается по рискам, вначале на полоски, а после поворота на 90° - на кристаллы.

Рисунок 11 - Разламывание полупроводниковой пластины на сферической основе: 1 - сфера; 2 - пластина; 3 - резиновая диафрагма

При разламывании на сферической опоре (рисунок 11) пластину 2, расположенную между двумя тонкими пластичными пленками, помещают рисками вниз на резиновую диафрагму 3, подводят сверху сферическую опору 1 и с помощью диафрагмы пневмоническим и гидравлическим способами прижимают к ней пластину, которая разламывается на отдельные кристаллы. Достоинствами этого способа являются простота, высокая производительность, (ломка занимает не более 1¸1,5 мин) и одностадийность, а также достаточно высокое качество, т.к. кристаллы не смещаются относительно друг друга.

Таблица 5 - Глубина нарушенного слоя пластин кремния после различных видов механической обработки

Вид обработки

Условия обработки

Глубина нарушенного слоя, мкм

Резка алмазным кругом с внутренней режущей кромкой

Зернистость режущей кромки АСМ 60/53; n=4000мин-1; подача 1мм/мин

20 - 30

Шлифование

Свободный абразив: суспензия порошка ЭБМ-10 ЭБМ-5

11 - 15 7 - 9

Шлифование, полирование

Связный абразивный круг АСМ - 28 Алмазная паста: АСМ - 3 АСМ - 1 АСМ - 0,5

14 - 16 6 - 9 5 - 6 1 - 2

Химико-механическое полирование

Суспензия аэросила, SiO2 (зерно 0,04 - 0,3 мкм) Суспензия цеолита

1 - 1,5 1 - 2

Перейти на страницу: 1 2

Другие стьтьи в тему

Разработка проекта модернизации участка транспортной сети оператора связи на базе оборудования плотного волнового спектрального мультиплексирования
Принятые сокращения и условные обозначения Термин, сокращение Описание МССС ПО ПУ ПУЭ РС У ...

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru