Испытания приборов

Для оценки параметров и надежности приборов до их поступления в отдел технического контроля, производят электрические, климатические и механические испытания. Для этого применяют различное высокотехнологичное оборудование и приборы. Они важны для правильной информации о качестве и надежности приборов. Кроме того каждая технологическая операция сопровождается контролем качества обработки.

Отечественный тестировщик полупроводниковых пластин: Зонд - А5

Заключение

В данной курсовой работе рассмотрены основные способы производства полупроводниковых приборов. От получения заготовки - монокристалла, до готового изделия т.е. транзистора, диода, ИМС.

На самом деле методов изготовления полупроводниковых приборов гораздо больше и они постоянно развиваются, особенно в настоящее время, когда основной упор в развитии полупроводниковых приборов сделан на уменьшение габаритных размеров компонентов при тех же характеристиках. Современные компоненты электронных схем, так называемые SMD компоненты (детали поверхностного монтажа), позволяют выполнять функциональные, компактные изделия, а микросхемы объединяют в своем корпусе более 10 тысяч элементов и целые функциональные блоки. Яркими представителями современной электроники являются современные планшетные компьютеры и смартфоны (smart - умный).

Другие стьтьи в тему

Разработка переносного пульта проверки электромеханизмов МПК-1, МПК-5, МПК-13
Развитие гражданской авиации тесно связано с переходом отрасли на новые условия рыночной экономики и ускорением научно технического прогресса. Объем и характер задач, выдвигаемых ныне перед гражданской авиацией, требуют не только частичных улучшений, но и крупных комплексных мер, кото ...

Расчёт трассы прокладки волоконно-оптического кабеля между населёнными пунктами
В современном мире быстрыми темпами наращиваются объёмы информации, соответственно повышаются требования к передающей аппаратуре, поскольку каждые пять-шесть лет объём передаваемой информации увеличивается вдвое. Задача передачи такого количества информации с высокой степенью дост ...