Радиоэлектроника и телекоммуникации
Исходные данные
Рабочие частоты: f1=8 МГц;
f2=20 MГц;
Мощность, подводимая к антенне: P1=1,0 кВт;
Коэффициент усиления передающей и приемной антенн: G1=1,6;
Дальность радиосвязи: R=32,5 км;
Минимально необходимый уровень сигнала в месте приёма: Еmin=20 дБ/(мкВ/м)
Поляризация излучения: вертикальная.
Задание
1. Расчёт напряженности поля земной радиоволны в заданной точке приема на частотах для:
а) сухой почве с параметрами: у=0,001 См/м; е=15;
б) влажной почве с параметрами: у=0,01 См/м; е=30;
. Для частот определить максимальные дальности связи;
. Сделать выводы о влиянии частоты и типа земной поверхности на уровень напряжённости поля в заданной точке приёма и максимальную дальность связи земной радиоволной.
Общие сведения
При распространении земной радиоволны происходит уменьшение её амплитуды за счёт дифракционных потерь, тепловых потерь в поверхности Земли и потерь за счёт рассеяния на неоднородностях земной поверхности. Степень взаимодействия волны с земной поверхностью определяется электрическими параметрами почвы (в основном диэлектрической проницаемостью и проводимостью), а также поляризацией электромагнитной волны. На электрические параметры почв основное влияние оказывает не их химический состав, а способность поглощать и удерживать влагу. При распространении радиоволн на относительно небольшие расстояния, удовлетворяющие критерию Фейнберга, можно пренебречь сферичностью Земли и расчёты уровня сигнала в точке приёма проводить по формулам Шулейкина-Ван-Дер-Поля.
Другие стьтьи в тему
Разработка рекомендаций по повышению безопасности мобильных платежей
мобильный телефон платеж
безопасность
Оплата за товары и услуги с помощью мобильных устройств уже перестала
быть экзотикой, а мобильные платежи, являющиеся ключевой составляющей мобильных
финансовых услуг, набирают обороты во всем мире. Но вместе с тем растет риск
быть обманутыми злоу ...
Разработка формирователя пачки импульсов
В настоящее время, когда современная схемотехника достигла
пятой степени интеграции, когда ЭВМ выпускаются на одном кристалле, особенно
остро стоит проблема синхронизации и управления отдельными функциональными
узлами, которые реализуются на разных типах микросхем.
Схемы форми ...