Выбор селективной системы преселектора

На этапе предварительного расчета полагаем, что эквивалентные затухания всех контуров преселектора равны. Определим эквивалентное затухание нагруженных контуров входной цепи и УРЧ

где - коэффициент шунтирования контура биполярным транзистором, q=10;

- минимальное затухание ненагруженного контура, =0,008.

.

Выбираем одиночный крнотур входной цепи и резистивный усилитель радиочастоты. Рассчитываем коэффициент частотных искажений для входной цепи (переведем определенную в децибелах неравномерность АЧХ входной цепи в относительные единицы)

По графику обобщенных кривых селективности определим обобщенную расстройку для данного контура [1]

Рассчитаем эквивалентное затухание контура входной цепи

Сравним и ; выберем большее из них

Рассчитаем обобщенную расстройку зеркального канала

По графику обобщенных кривых селективности и обобщенной расстройкой определим селективность зеркального канала, которую может обеспечить выбранный контур входной цепи.

Так как , следует применить резонансный УРЧ с таким же контуром в цепи коллектора. Общая избирательность преселектора по зеркальному каналу будет ровна .

Рассчитаем селективность по соседнему каналу, которую обеспечивает выбранная входная цепь. Определим обобщенную расстройку соседнего канала

Найдем минимальное ослабление соседнего канала по значению , вносимое входной цепью [1]

Так как применяется резонансный УРЧ, общее подавление соседнего канала преселектором будет равно

Итак, преселектор включает в себя одиночный перестраиваемый контур входной цепи и резонансный УРЧ, и обеспечивает:

Другие стьтьи в тему

Разработка шлирен–проектора для контроля объективов
Оптический контроль основан на анализе взаимодействия оптического излучения с объектами контроля. В качестве объектов контроля могут служить материалы и изделия, технологические процессы и параметры окружающей среды. Для получения измерительной информации об объекте контроля использ ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...