Электрический расчёт схемы приёмника

Минимальные достижимые затухания контуров и значения коэффициента шунтирования

Диапазон частот, МГц

Затухание контура Коэффициент

для полевых транзисторов

для биполярных транзисторов

0,1 0,1…0,2 0,2…0,4 0,4…0,6 0,6…1,0 1,0…5,0 5,0…30,0 30,0…300 300…1000

0,1…0,02 0,006…0,01 0,004…0,006 0,003…0,004 0,003…0,004 0,004…0,005 0,005…0,006 0,006…0,01 0,0003…0,004

1 1 1 1 1 1 1,1 1,2 1,3

1,4…1,6 1,5…1,7 1,6…1,8 1,7…1,9 1,8…2,0 2,0…2,2 2,2…2,5 2,5…3,0 3.0…10

Значения эквивалентной ёмкости контура на различных частотах

0,30,3-1,51,5-66-3030-100>100

500-300300-200200-100100-5050-15<15

Минимальные значения индуктивностей катушек контуров, которые можно допускать на различных частотах

0,1-0,50,5-1,01-55-1010-2020-4040-500

1000-400400-250250-2020-1010-55-0,80,8-0,01

Собственное затухание контура

Диапазон волн

ДВ

СВ

КВ

МВ

0,02-0,01250,0125-0,0080,006-0,0050,01-0,005

Обозначение

Наименование

Кол.

Примечание

Конденсаторы ГОСТ 5.621-70

Ср1, Ср2

К22-5-М470-680пФ ±10%

2

Сф1, Сф2

К22-5-М470-1000пФ ±10%

2

Сэ1, Сэ2

К22-5-М75-1,5нФ ±1%

2

С1

К22-5-М75-3пФ ±1%

1

С2, Ср3

КТ4-25-1/5

2

С5, С7

К22-5-М75-10пФ ±1%

2

С6

К22-5-М75-82пФ ±1%

1

С8

К22-5-М75-56пФ ±1%

1

С10

К22-5-М75-120пФ ±1%

1

С11

К22-5-М75-51пФ ±1%

1

С12, С13, С19

КБГ-И-200В-0,1мкФ -В

3

С14

К22-5-М75-180пФ ±1%

1

С15, С16

КБГ-И-200В-0,01мкФ -В

2

С19

К53-1-6,3В-1мкФ ±1%

1

С20

КБГ-И-200В-0,001мкФ -В

1

Резисторы ГОСТ 17598-72

R1,R3

С2-23-0,062-5,1кОм±1% А-Б-В

2

R2,R4

С2-23-0,062-20кОм±1% А-Б-В

2

Rэ1,Rэ2

С2-23-0,062-121кОм±1% А-Б-В

2

Rф1,Rф2

С2-23-0,062-200кОм±10% А-Г-В

2

R5

С2-23-0,062-39кОм±1% А-Б-В

1

R6

С2-23-0,062-10кОм±10% А-Г-В

1

Транзистры

VT1,VT2

КТ-399А

2

Микросхемы

DA1

МС3362P

1

Перейти на страницу: 9 10 11 12 13 14 15

Другие стьтьи в тему

Радиовещательный приемник
резистивный Для современных радиовещательных приемников наиболее характерны следующие особенности: улучшение основных показателей качества, отказ от механических и электромеханических узлов и деталей, применение цифровых систем управления, повышение требований к дизайну. ...

Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru