Радиоэлектроника и телекоммуникации
При проектировании высокоскоростных ВОСП должны рассчитываться отдельно длина участка регенерации по затуханию () и длина участка регенерации по широкополосности (
), так как причины, ограничивающие предельные значения
и
, независимы.
В общем случае необходимо рассчитывать две величины длины участка регенерации по затуханию:
- максимальная проектная длина участка регенерации;
- минимальная проектная длина участка регенерации.
Для оценки величины длин участка регенерации могут быть использованы следующие выражения:
| |
| |
|
где и
- максимальное и минимальное значения перекрываемого затухания аппаратуры ВОСП, обеспечивающее к концу срока службы значение коэффициента ошибок не более
;
- километрическое затухание в оптических волокнах кабеля,
;
- среднее значение затухания мощности оптического излучения неразъемного оптического соединителя на стыке между строительными длинами кабеля на участке регенерации,
;
- среднее значение строительной длины кабеля на участке регенерации,
;
- затухание мощности оптического излучения разъемного оптического соединителя,
;
- число разъемных оптических соединителей на участке регенерации;
- результирующая дисперсия одномодового оптического волокна,
;
- ширина спектра источника излучения,
;
- широкополосность цифровых сигналов, передаваемых по оптическому тракту,
;
- системный запас ВОСП по кабелю на участке регенерации,
.
определяется как разность между минимальным уровнем мощности оптического излучения на передаче и уровнем чувствительности приемника для ВОСП. Для интерфейса L-16.2 оборудования NetRing 2500:
Другие стьтьи в тему
Расчет радиоприемника СВ диапазона
Тема моего курсового проекта расчёт радиоприёмника СВ диапазона.
Радиоприёмник предназначен для приёма диапазона СВ и дальнейшего
воспроизведения. Место установки радиоприёмника - стационарное.
Курсовой проект является завершающим этапом изучения дисциплины
“Радиоэлектронные ус ...
Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных
микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии
позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...