Расчет длины участка регенерации ВОЛП

При проектировании высокоскоростных ВОСП должны рассчитываться отдельно длина участка регенерации по затуханию () и длина участка регенерации по широкополосности (), так как причины, ограничивающие предельные значения и , независимы.

В общем случае необходимо рассчитывать две величины длины участка регенерации по затуханию:

- максимальная проектная длина участка регенерации;

- минимальная проектная длина участка регенерации.

Для оценки величины длин участка регенерации могут быть использованы следующие выражения:

где и - максимальное и минимальное значения перекрываемого затухания аппаратуры ВОСП, обеспечивающее к концу срока службы значение коэффициента ошибок не более ;

- километрическое затухание в оптических волокнах кабеля, ;

- среднее значение затухания мощности оптического излучения неразъемного оптического соединителя на стыке между строительными длинами кабеля на участке регенерации, ;

- среднее значение строительной длины кабеля на участке регенерации,;

- затухание мощности оптического излучения разъемного оптического соединителя, ;

- число разъемных оптических соединителей на участке регенерации;

- результирующая дисперсия одномодового оптического волокна, ;

- ширина спектра источника излучения, ;

- широкополосность цифровых сигналов, передаваемых по оптическому тракту, ;

- системный запас ВОСП по кабелю на участке регенерации, .

определяется как разность между минимальным уровнем мощности оптического излучения на передаче и уровнем чувствительности приемника для ВОСП. Для интерфейса L-16.2 оборудования NetRing 2500:

Перейти на страницу: 1 2

Другие стьтьи в тему

Резистивные преобразователи
Резистивные преобразователи представляют собой разновидность параметрических преобразователей, которые под воздействием измеряемой величины изменяют собственное электрическое сопротивление или сопротивление участка цепи. Измеряют угловое и линейное перемещение, входят в состав д ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2019 : www.techelements.ru