Расчёт преобразователя частоты

Полный расчёт преобразователя частоты состоит из расчёта элементов контура гетеродина и расчёта смесительной части

Расчёт элементов контура гетеродина

Элементы контура гетеродина рассчитывают из условий обеспечения сопряжённой настройки контуров при помощи одной ручки.

Этот расчёт производим графическим методом. В контуре гетеродина используется такой же конденсатор переменной ёмкости Ск , как во входной цепи, С2 - ёмкость последовательного сопрягающего конденсатора, С3 - ёмкость параллельного сопрягающего конденсатора.

. Определяем максимальную ёмкость контура гетеродина

Сmax = Ск max + Ссх = 430 ∙ 10-12 + 46,7 ∙ 10-12 = 477 пФ

где Ск max - максимальная ёмкость блока переменного конденсатора, выбираемого при расчёте входной цепи:

Ссх - ёмкость схемы, равная ёмкости схемы входной цепи.

. Находим вспомогательный коэффициент

где

. Рассчитываем индуктивность контура гетеродина

Значение коэффициента находим по графику = 0,52

. Определяем ёмкость последовательного конденсатора С2 по графику на рис 2.4.3.

С2 = 560 пФ

Принимаем С2 = 560 пФ из ряда Е12 ± 20%

. Находим ёмкость параллельного конденсатора С3 по графику на рис 2.4.4.

С3 = 12 пФ

Принимаем С3 = 12 пФ из ряда Е12 ± 20%

.4.2 Расчёт смесительной части преобразователя

. Находим значение сопротивления R =

где Rвх = 1/g”11Э = 1/0,53 ∙ 10-3 = 1900 Ом

Кф - 0,22

Sпр - полная проводимость прямой передачи в режиме преобразования

Sпр=|Y21пр|=105 мСм.

Кпр - коэффициент усиления преобразователя равный 10.

Так как R < Rвых

< 158700

Для обеспечения принятого условия р1 = 1 (Rвых пр =R ) выход преобразователя следует зашунтировать резистором

Принимаем Rш = 1 кОм из ряда Е24 ± 5%

где Rвыхпр = 1/g22пр = 1/6,3 ∙10-6 = 158,7 кОм

Пересчитываем R и получаем

. Определяем коэффициент включения ФСС со стороны базы

. Находим элементы фильтра

Принимаем С1 = 3,5 пФ из ряда Е12 ± 10%

Принимаем С1 = 4,9 пФ из ряда Е12 ± 10%

Принимаем С3 = 2,3 нФ из ряда Е12 ± 10%

Принимаем С4 = 1,4 нФ из ряда Е12 ± 10%

Здесь ёмкость в пФ, R’ - в Ком, L - в мкГн, fпр и 2Fp в КГц

Другие стьтьи в тему

Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...

Протоколы сигнализации на мобильных сетях
Сотовая связь - весьма заметное явление в технике связи. В настоящее время информационный сектор является самым динамичным в мировой экономике. В свою очередь, в информационном секторе наиболее быстро развивается сотовая связь. Связь - одна из основных составляющих инфраструктуры, она ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru