Расчет надежности системы

Кд.н - максимально допустимая нагрузка по мощности рассеяния;

Кs1 - отношение рабочего напряжения к максимально-допустимому по ТУ;

Кf - частота и мощность в импульсе СВЧ транзистора.

Конденсаторы:

Кс- величина емкости;

Кпс - величина последовательно включенного с оксидно-полупроводниковым конденсатором активного сопротивления.

Резисторы:

Кr - величина оммиченского сопротивления;

Км - величина номинальной мощности;

Кs1 - отношение рабочего напряжения к максимально допустимому по ТУ;

Ксл - количество элементов в схеме для резисторных микросхем;

Кстаб - точность изготовления (допуск);

Корп - вид корпуса резисторных микросхем;

Кис - степень освоенности технологий изготовления.

Коммутационные изделия:

Ккк - количество задействованных контактов;

Кf - количество коммутаций в час.

Соединители:

Ккк - количество задействованных контактов

Ккс - количество сочленений - расчленений в течении всего времени эксплуатации.

Расчетные значения lэ ЭРИ, находящихся на платах, сведены в таблицу 1. Исходные данные по составу микросборок разработки ОАО «СТАР», входящих в состав плат ПНВИ, УФИ и платы вывода БЗД-96-60, и их интенсивности отказов сведены в таблицу 2.

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Проектирование цифровой городской телефонной сети ГТС
Развитие современных телекоммуникационных систем, цифровых электронных станций и аппаратуры уплотнения затронуло один из самых консервативных элементов сети электросвязи - абонентскую линию. В концепции структуры сети электросвязи появилось новое понятие - «сеть абонентского доступа» ...