Предварительный расчет оконечного каскада на транзисторах

Задача расчета - определить ориентировочные числовые характеристики. При выполнений оконечного каскада на микросхема предварительный расчет не производится, а лишь выбирается подходящая микросхема на следующий условий: обеспечение заданной выходной мощности; обеспечение заданных частотных и нелинейных искажение сигнала заданной полосы рабочих частот, учет потребляемой микросхемой меньше, чем напряжения питание и величина его. Если питания микросхемы меньше, чем напряжения питания усилителя на транзисторах то излишек напряжения можно погасить с помощью фильтра RС. Для транзисторного каскада находим амплитуду коллекторного тока исходя из заданной выходной мощности усилителя:

(1.38)

где, - заданная выходная мощность, Вт;

- КПД выходного трансформатора;

- коэффициент использования напряжения питания;

- напряжение на коллекторе, В.

Величина коллекторного тока должна быть такой, чтобы выполнилось условие:

(1.39)

- максимальный ток коллектора выбранного транзистора (из справочника).

Так как условие выполнилось то не следует брать более мощный транзистор.

Находим амплитуду базового тока транзистора:

(1.40)

где, - минимальное значение коэффициента усиления транзистора по току для схемы ОЭ (из справочника).

Вычисляем постоянную составляющую коллекторного тока:

(1.41)

где, .

Полученное значение требуется при подсчете общего тока потребляемого приемником от источника питания.

Другие стьтьи в тему

Радиопередатчик подвижной связи с угловой модуляцией
Формирование радиочастотных сигналов, имеющих заданные временные, спектральные и энергетические характеристики, их последующая передача по специальным направляющим электромагнитным системам или через свободное пространство к потребителю осуществляется с помощью радиопередающего ...

Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе
Цель работы: расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков комп ...