Построение желаемой ЛАХ

Построим асимптотическую желаемую ЛАХ разомкнутой САР, обеспечивающую выполнение заданных ТЗ требований и инженерных рекомендаций по сложности реализации. Для этого предварительно определим ограничения на показатель колебательности М и базовую частоту w0, соответствующие заданным в техническом задании прямым показателям качества s% и tp. Таблица для такого перехода приведена ниже. Базовая частота для желаемой ЛАХ должна быть не меньше найденного значения.

Таблица 1 - Переход от прямых показателей качества s% и tp к ограничению на показатель колебательности М

При заданной величине s£35%; tp£ 0.3с получаем М=1,42.

Полученной величине М=1,42 соответствует произведение tp=3,36, следовательно, =3,36/0,3=11,2.

При построении желаемой асимптотической ЛАХ выполним следующие вычисления:

(1)

Следовательно, = 2 = 11,22=125.

(2)

из формулы (2): =.

Теперь из формулы (1) получаем: .

Зная, что , найдем минимальное значение

.

Теперь можно найти остальные постоянные времени, используя нижеприведенные формулы:

; (3)

(4)

. (5)

По формуле (4) определим минимальное значение :

Зная , можно найти значение по формуле (3):

.

Так как в нашем случае первоначально желаемая ЛАХ имеет наклон 20 дб/дек., а конечный наклон она должна иметь -80дб/дек, как и начальная ЛАХ, то при построении симметричной ЛАХ с типовыми наклонами асимптот (-20-40-20-40-60…) необходимо найти еще три точки перелома. Сумму их значений можно определить по формуле (5):

Другие стьтьи в тему

Разработка учебно-лабораторного стенда для изучения волоконно-оптического канала утечки акустической информации
Ранее считалось, что каналы оптической связи в силу особенностей распространения электромагнитной энергии в оптическом волокне (ОВ), а также ввиду применения узконаправленных передающих антенн в атмосферных каналах оптической связи обладают повышенной скрытностью. Известно, ...

Расчет и конструирование схемы параллельного регистра на триггере CLD - типа
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функциона ...