Технологический процесс

Технические условия на интегральные микросхемы (как и на другие изделия электронной техники) представляют собой комплекс основных требований, которым они должны удовлетворять. В состав требований входят выходные параметры, условия эксплуатации, хранения и др. Технические условия могут быть общие, частные, временные и некоторые другие. Общие технические условия устанавливают требования ко всем типам ИМС опытного, серийного и массового производства.

Наибольшее распространение получили следующие маршруты производства: технология МДП- ИМС на p-канальных транзисторах с алюминиевыми и кремниевыми затворами.

Технологический процесс:

- окисление кремниевой пластины n-типа; 2 - фотолитография для вскрытия окон под области стоков, истоков и диффузионных шин; 3 - локальная загонка примесир-типа в поверхностную область будущих стоков и истоков методом ионного легирования и второе окисление с одновременной разгонкой примеси;4 - фотолитография для удаления окисла с подзатворных областей; 5 - формирование подзатворного ди-электрика окислением в сухом кислороде и дополнительная разгонка примеси в областях стоков и исто-ков; 6 - фотолитография для вскрытия окон под контакты к областям стока, истока и диффузионным шинам; 7 - нанесение пленки алюминия и фотолитография для создания рисунка разводки; 8 - нанесение пассивирующего слоя ФСС с последующим фотолитографическим вскрытием окон над контактными площадками и областями скрайбирования

Технологический процесс изготовления p-канального МДП транзистора представлен на рисунке 3:

интегральный микросхема транзистор сигнал

Рисунок 4. Полевой транзистор p-типа.

Заключение

Полупроводниковая интегральная схема (ИС) изготовляется на подложке монокристаллического кремния площадью 1…10 мм2. На столь малой площади располагается несколько десятков (иногда сотен) пассивных и активных интегральных элементов: транзисторов (полевых, биполярных, p-n-p- и n-p-n-типов, малосигнальных, мощных импульсных), диодов, резисторов, конденсаторов. Эти элементы объединяются в схему, которая должна удовлетворять нескольким требованиям: иметь заданные электрические параметры, быть многофункциональной в применении, технологичной для массового производства, обладать малой себестоимостью и большой надежностью.

Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности. Они занимают доминирующее положение при выпуске таких изделий микроэлектроники, как полупроводниковые оперативные и постоянные запоминающие устройства, БИС электронных микрокалькуляторов, БИС микропроцессорных наборов.

Другие стьтьи в тему

Проектирование цифровой городской телефонной сети ГТС
Развитие современных телекоммуникационных систем, цифровых электронных станций и аппаратуры уплотнения затронуло один из самых консервативных элементов сети электросвязи - абонентскую линию. В концепции структуры сети электросвязи появилось новое понятие - «сеть абонентского доступа» ...

Разработка структурной схемы местоопределения
1. Метод определения местоположения - угломерно-разностно-дальномерный. . Координаты приемных позиций по оси X :a , км=-25в , км=25 . Координаты приемных позиций по оси Y : Ya , км=0 . Пеленг из точки А на источник излучения : Θao=45 . ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2018 : www.techelements.ru